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LEDの多重量子障壁の有無比較のためのツール
多重量子障壁(MQB: Multiple Quantum Barriers)超格子(SL: superlattice)のトンネリングモデルを解説。超格子の有無をシミュレーション比較。（バンド図(band diagram)、L-I特性、内部量子効率(IQE)、電子リーク(electron leakage)など）多重量子障壁は電子のポテンシャルバリアを増加し電子リークをより効果的にブロック。
高応力GaNデバイスの研究ツール
高応力(higly stressed)がかかるGaN多重量子井戸(MQW)の理論モデルを解説。クロスライトのデバイスシミュレーターでシリコン上に任意の結晶方向(crystal orientations)に成長したGaNデバイスLEDについて次のような結果を得ることが可能。シリコン基板からの張力(tensile)は多重量子井戸(MQW)のバンドギャップ(band gap)を減少し波長が長くなる。多重量子井戸(MQW)中の圧電電荷(piezoelectric charges)の減少。内部量子効果(IQE)の減少はEBL(electron blocking layer)インターフェイス上の圧電電荷の増加が原因。
実用的な3次元シミュレーションへのアプローチの方法
クロスライトのTCADを利用した3次元プロセス、デバイスシミュレーション。メッシュ生成、デバイス構造の作りこみ、解析などを各種デバイス(CMOSイメージセンサー、LDMOS、FINFET、DMOS、LIGBT)を例にその機能やしくみを紹介。また、GPUによるシミュレーションについても紹介。
クロスライトソフトウェアのTCADによるパワー半導体デバイスの解析ツール
運動トラック形状のポリシリコンゲート(Race Track Poly Gate)を持つLDMOSと六角型ポリシリコンゲート(Hexagonal Poly Gate)を持つDMOSを題材にデバイスのシミュレーションの概要を紹介。
GPUによるFDTD計算の処理速度の向上
3次元レンズ構造およびCIS 3次元 CMOSイメージセンサーをベンチマーク例としてピックアップ。クロスライトのFDTDのGPUバージョンは3次元の実デバイス構造に対し66倍処理が向上。ベンチマーク結果は安価なGPUカードで、Core i7 3930K PC 10クラスター(60コアに相当する)と同等の処理速度を実現。
