高応力GaNデバイスの研究ツール
高応力(higly stressed)がかかるGaN多重量子井戸(MQW)の理論モデルを解説。クロスライトのデバイスシミュレーターでシリコン上に任意の結晶方向(crystal orientations)に成長したGaNデバイスLEDについて次のような結果を得ることが可能。シリコン基板からの張力(tensile)は多重量子井戸(MQW)のバンドギャップ(band gap)を減少し波長が長くなる。多重量子井戸(MQW)中の圧電電荷(piezoelectric charges)の減少。内部量子効果(IQE)の減少はEBL(electron blocking layer)インターフェイス上の圧電電荷の増加が原因。
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基本情報
＜主な特徴＞ ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 ■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能 ＜多様な物理モデルや機能＞ ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布 ■流体力学モデルにおけるホット・キャリア温度の2次元分布 ■熱輸送モデルで用いられる格子温度の２次元分布 ■様々なバイアス条件のもとでのバンド図 ■任意の周波数帯における交流微小信号応答解析の結果 ■荷電子混合モデルを用いた量子井戸のサブバンド ■半導体中の深いレベルにトラップされた不純物占有数と密度の２次元分布 ■光検出器などの光デバイスの２次元光学場分布 ■LEDの自己放出スペクトルの電流依存性 ■FDTDインターフェイス ＜インターフェイス＞ ■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備 ■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能 ■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能
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高応力GaNデバイスの研究
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企業情報
クロスライトソフトウェアインク(前Beamtek Software Inc.)は1992年にカナダ国家科学研究委員会から独立しカナダに本社を設立したインターナショナル企業です。 現在、バンクーバーに本社を構え、1997年上海拠点、2001年9月千葉市に日本支社を設立しました。 当社は、各種半導体レーザーデバイス、発光、受光素子、MEMSおよびMOCVDプロセス等の物性を解析するCADソフトウェアの開発元として、常に最先端な技術で半導体オプトエレクトロニクス、電子デバイス・プロセス技術の先端物理モデルを提供するリーダーカンパニーです。 当社主力製品の3次元半導体レーザーダイオードシュミレーターPICS3Dは1998年、業界誌 Laser Focus World「レーザーフォーカスワールド」より Commercial Technology Achievement Award 「最優秀製品技術賞」を受賞しました。