【分析事例】a-SiO2膜の HFエッチングシミュレーション
エッチングプロセスにおける原子レベルでの表面反応の理解に有効
半導体プロセスの微細化に伴い、エッチングガス、ALD成膜におけるプリカーサ、 プラズマ処理などによる表面反応の重要性が増しています。このようなエッチング、 表面結合状態変化、欠陥生成などの複雑な化学反応が関与する系に対して、 原子レベルでの現象の理解には分子動力学計算を用いた解析が有効です。 本資料では、a-SiO2のHFエッチング反応について、分子動力学計算から評価しました。 様々な反応、材料に対して同様のアプローチが適用可能です。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
