CMPスラリーの塩濃度によるゼータ電位の制御
ゼータ電位でCMPスラリーの分散・安定性を評価
半導体ウェーハの研磨工程におけるCMPスラリーは、粒子径を均一に制御することで、安定した加工性能が得ることができます。また、凝集物などの粗大粒子が含まれると、研磨レートの変化やスクラッチなどの表面欠陥の要因となるため、粒子径の管理が重要です。そこで、CMPスラリーでは、高い分散性が求められており、ゼータ電位測定から最適な添加剤などの分散条件を検討することができます。 今回は、SiO2スラリーに10～300mMのNaClを添加し、そのゼータ電位および粒子径測定を行いました。 CMPスラリーの塩濃度によるゼータ電位の制御の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
- 企業：大塚電子株式会社
- 価格：応相談
