革新デバイス - メーカー・企業と業務用製品 | イプロスものづくり

48Vモータ駆動を革新するInnoscience GaNデバイス

高効率・低発熱・小型化を実現するGaN 48Vモータドライブソリューション

Innoscienceの48Vモータドライブ向けGaNソリューションは、従来のSiデバイスが抱えていた損失・発熱・周波数制約を大きく改善し、1kWクラスの高出力駆動に対応するための設計自由度を提供します。 GaN特有の高速スイッチングによりデッドタイムを100nsまで短縮でき、高周波化（20kHz→40kHz）しても損失増加はわずか0.7Wに抑制され、Siの4.1W増加と比較して大幅な優位性を示します。 また、同一冷却条件下でGaNはSiより23℃低い温度で動作するため、放熱部品の小型化やヒートシンク削減が容易になります。 さらに、オンパッケージ構成では18A未満の動作時にヒートシンク不要となり、ロボット、AGV／AMR、電動工具、ドローンなどの48Vモータシステムで求められる軽量化・高効率化・高電力密度化を強力に後押しします。