高効率・低発熱・小型化を実現するGaN 48Vモータドライブソリューション
Innoscienceの48Vモータドライブ向けGaNソリューションは、従来のSiデバイスが抱えていた損失・発熱・周波数制約を大きく改善し、1kWクラスの高出力駆動に対応するための設計自由度を提供します。 GaN特有の高速スイッチングによりデッドタイムを100nsまで短縮でき、高周波化（20kHz→40kHz）しても損失増加はわずか0.7Wに抑制され、Siの4.1W増加と比較して大幅な優位性を示します。 また、同一冷却条件下でGaNはSiより23℃低い温度で動作するため、放熱部品の小型化やヒートシンク削減が容易になります。 さらに、オンパッケージ構成では18A未満の動作時にヒートシンク不要となり、ロボット、AGV／AMR、電動工具、ドローンなどの48Vモータシステムで求められる軽量化・高効率化・高電力密度化を強力に後押しします。
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基本情報
48Vモータドライブ向けには、100V耐圧のGaN HEMT／GaN IC を採用したソリューションを提供しており、48〜60V入力に対応します。ディスクリート構成 INNDMD48V25A1 は、 ・INN100EA035A（100V / 35mΩ GaN HEMT）×6 ・INS2003FQ（100V対応GaNドライバIC）×3 により、連続ピーク25A相当／1kW級 を実現します。 一方、集積型 INNDMD48V22A1 は ISG3204LA（100V統合ハーフブリッジ GaN）×3 を使用し、22Aクラス に対応。両構成は、48Vモータ用途に最適化された耐圧・電流能力・統合度を備え、Si同等品より低損失・低発熱で高出力密度設計を可能にします。
価格帯
納期
用途／実績例
・48V産業用BLDCモータドライブ ・ロボットアクチュエータ ・AGV／AMR（自律搬送ロボット） ・電動工具用モータ制御 ・ドローン用モータドライバ ・小型家電・事務機の48V制御系 高速スイッチング性と高効率が重要な48V駆動機器で多くの採用・検討が進んでいます。
ラインアップ（1）
| 型番 | 概要 |
|---|---|
| ISG3204LA（集積ハーフブリッジGaN IC）・ INN100EA035A（100V GaN HEMT / 低損失）・ INS2003FQ（GaN専用高速ドライバIC） |
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企業情報
伯東株式会社は、エレクトロニクス専門商社・技術サービスを提供する 技術商社・化学工業薬品メーカーとして、個々のニーズの見極めから 人と技術が共生する豊かな未来を創造しています。 当社は1953年11月に、水晶原石の輸入・販売を手がける商社として設立。 「伯東」とは、水晶の原産地である伯剌西爾 (ブラジル) の「伯」と 東京の「東」の頭文字をとり命名されたもので、この社名には ブラジル・東京を結ぶだけではなく、広く世界を結ぶ国際商社として 成長していこうという熱い思いが込められています。 【イプロス掲載メーカー／製品群】 旭化成／センサー、ホール素子・IC Crystal IS（クリスタルアイエス）／UVC（深紫外線）LED IMPINJ（インピンジ）／RAIN RFID機器・システム・ソフトウェア
