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ゼータ電位・粒子径測定システムを用いてＣＭＰスラリーの非イオン性界面活性剤添加によるゼータ電位・粒子径の評価
半導体製造におけるCMPでは、半導体ウェハや金属面を研磨する場合に金属酸化物（シリカ粒子、アルミナ粒子）がよく利用されています。シリカ粒子,アルミナ粒子などの金属酸化物は種々の要因（pH、添加剤など）によって粒子の分散状態が異なり、粒径やゼータ電位を指標として分散状態をコントロールすることが非常に重要になっています。 今回、CMPスラリーに非イオン性界面活性剤を添加し、添加前後のゼータ電位および粒子径の測定をおこないました。 ＣＭＰスラリーの非イオン性界面活性剤添加によるゼータ電位・粒子径の制御評価の詳細については、カタログダウンロードより技術資料をダウンロードをしてください。
CMPスラリーの分散状態を制御し、研磨効率を向上。
半導体業界では、CMP（Chemical Mechanical Polishing）工程における研磨効率の向上が求められています。ウェハ表面の平坦性を高め、高品質な半導体デバイスを製造するためには、研磨スラリーの粒子分散状態を適切に制御することが不可欠です。粒子の凝集や偏りは、研磨ムラやスクラッチの原因となり、歩留まりを低下させる可能性があります。本製品は、CMPスラリーに非イオン性界面活性剤を添加し、添加前後のゼータ電位および粒子径を測定することで、スラリーの分散状態を評価し、研磨効率の最適化に貢献します。 【活用シーン】 ・CMP工程におけるスラリーの品質管理 ・研磨条件の最適化 ・新素材スラリーの開発 【導入の効果】 ・研磨ムラやスクラッチの低減 ・ウェハの歩留まり向上 ・研磨時間の短縮
