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LL DRAMのGS4288シリーズは低遅延でネットワーク機器に好適
GSIの第2世代低レイテンシDRAM（LLDRAM II）は、高度なデータネットワーキングアプリケーションに最適なソリューションです。8バンクメモリアレイアーキテクチャにより、高いトランザクションレート、簡素化されたアドレスインターフェース、そしてダブルデータレート転送を実現します。その結果、多くのネットワーキングタスクにおいてほぼ100%のバス使用率を維持できるデバイスが実現しました。RLDRAM 2（Reduced Latency DRAM）とのドロップイン互換性を有します。
前世代の DDR3 SDRAM よりも優れたパフォーマンスを提供し、消費電力を削減し、速度と転送速度を向上させます。
【特長】 ■96 ボール FBGA パッケージ ■+1.2V (±0.06V) の低動作電圧 ■最大 1600MHz の高速クロック速度と最大 3200MT/s の転送速度を実現する 8n プリフェッチ アーキテクチャ上に構築 ■読み取りバースト長または書き込みバースト長が BC4、BL8、およびオンザフライで、シーケンシャルおよびインターリーブ バースト タイプをサポート ■自動プリチャージ機能は、バースト シーケンスの最後に開始されるセルフタイムの行プリチャージを提供します。 ■自動リフレッシュまたはセルフリフレッシュを含む使いやすいリフレッシュ機能 ■商用 (0°C ～ +95°C) 温度範囲
DDR4 SDRAM、各種DRAM 継続安定供給を目指す台湾のDRAM専業メーカ
ProMOS Technologies Inc.（茂徳科技）は台湾・新竹サイエンスパークに本拠を置くDRAMのファブレスメーカであり、DRAM 設計およびサービス提供を中心に事業を展開しています。1996年設立後、長年にわたり DRAM 分野での開発・製造・品質保証・アプリケーション支援の実績を積み重ね、現在は設計ハウス機能を主軸とした体制に再編されています。 【基本情報】 設立：1996年12月 所在地：台湾 新竹サイエンス工業団地 DRAM専業のファブレスメーカ 主要分野：DRAM IT・産業機器・ RFID 【強み・特徴】 ・20年以上の DRAM ビジネス経験 ・設計から量産、品質保証、フィールドサポートまで一貫対応 ・車載、産業、通信、セキュリティ機器向け展開 【製品ポートフォリオ】 DDR4 / DDR3 / DDR2 / DDR1 / SDRAM / Mobile DDR / LPDDR4x / STT‑MRAM といったレガシーから最新規格まで幅広いメモリを提供。一般温度品から、工業用、車載用、ミリタリースペックまで幅広い温度範囲の製品を持っています。
高性能で低電力！しかも高帯域・高信頼！動作温度も－40～105℃と広域
当社では産業システムや通信市場、車載向けの 高性能な『4Gbit DDR4 DRAM』を製造しています。 低電力、高帯域、高信頼という特長に加え、広範な動作温度範囲に対応。 通信量の増加時や車載での利用などでも安定した性能を発揮します。 【特長】 ■動作電圧：1.2V ■動作保証温度：産業(－40～95℃)、通信(0～95℃)、車載（－40～105℃） ■メモリ：256MB×16 ■パッケージ：96Ball BGA ■スピード：2133Mbps、2400Mbps、2666Mbps ※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
SRAMメーカーGSI Technologyから遂にLL DRAM II登場
ネットワーキングやテレコミュニケーションなど高速のアドレスレートデータ処理を求めるアプリケーション用に開発されました。 8つのバンクアーキテクチャは高速ランダムアクセスを可能にします。
DDR2と比較して約40％の消費電力の低減を実現！より低電流、低電圧での動作が可能に
当社が提供する「車載向けDRAM(DDR3/DDR3L)」は、1端子当たり 最大1600メガビット/秒のデータ転送速度をサポートしながら、 動作電圧は1.5Vに抑えられる製品です。 DDR2と比べて2倍のデータ転送が可能。8バンク同時アクセス 可能となり高速化を実現します。 また、DDR3の省電力機能の1つであるパーシャルアレイ セルフリフレッシュも搭載しております。 【ラインアップ(一部)】 ■DDR3/3L 25nm ・1Gb：W631GxxNB ・2Gb：W632GxxNB ■DDR3/3L 20nm(開発中) ・1Gb：W631GxxRB ・2Gb：W632GxxRB ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
