SiC MOSFET FMG50AQ120N6
高信頼性と低損失を実現した1200V耐圧SiC MOSFETディスクリート製品
・放熱性を兼ね揃えた絶縁型パッケージ(Rth(j-c)=0.22℃・w Typ) ・ソース端子のインダクタンスの影響を低減して、より高速なスイッチングと低損失を実現する4ピン構造を採用 ・業界トップクラスの低オン抵抗(15mΩ Typ Tj=150℃)
- 企業：旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
- 価格：応相談
SICMOSFET(損失) - メーカー・企業と製品の一覧
SICMOSFETの製品一覧
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SiC MOSFET 2000 V
グリーンで効率的なエネルギーアプリケーション向けに、高効率を実現！
『SiC MOSFET 2000 V』は、O-247PLUS-4-HCCパッケージ 12～100mΩのラインアップで提供しています。 10～80Aのダイオード製品と組み合わせることで、過酷な高電圧および 高スイッチング周波数条件下でもシステムの信頼性を損なうことなく 電力密度を向上させるよう設計されています。 CoolSiC技術の低い電力損失は、2000V用に最適化されたパッケージの .XT相互接合技術によって信頼性を向上させ、グリーンで効率的な エネルギーアプリケーション向けに、高効率を実現します。 【特長】 ■VDSS ＝ 2000V：DCリンク1500Vまでのシステム用 ■きわめて低いスイッチング損失 ■革新的なHDCパッケージ ■沿面距離 14mm ■空間距離 5.4mm ■業界標準となるゲート閾値電圧：VGS(th) ＝ 4.5V ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
SiC MOSFETディスクリート 650 V/107 mΩ
家電製品や低電力産業用モーター制御のような低電力システムにおける高効率設計にも好適！
TOLL(HSOF-8)パッケージの当製品は、インフィニオンのCoolSiC技術の 長所を活用しています。 TOリードレス(TOLL)パッケージの小型フォームファクタと低寄生 インダクタンスにより、PCB面積を効率的かつ効果的に利用できるようになり、 MOSFETの高い周波数での駆動や、高電力密度を実現します。 D2PAKパッケージに比べて熱インピーダンスが低減され、革新的な .XT相互接続技術とともに、高～中電力システムに適しており、 価格性能比を最適化します。 【特長】 ■業界標準パッケージ - JEDEC産業用アプリケーション認定 (J-STD20 および JESD22) ■小型サイズ ■熱インピーダンスの低減 ■.XT相互接続 ■低寄生インダクタンス ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
