ＳｉＣコーティング装置（ＡＦ－ＩＰ装置）
緻密で耐摩耗性と耐酸化性に優れたＳｉＣ（シリコンカーバイド）膜をＰＶＤで形成。新型イオンプレーティング法で厚膜（７μｍ）形成
新開発アークフィラメント型イオンプレーティング法により従来に無かったＰＶＤ法による」ＳｉＣ成膜を実現。 ４００℃以下の低温で緻密で耐摩耗性・耐酸化性に優れたＳｉＣ膜を形成可能とした新成膜技術を採用。 個体シリコンを出発材料としたイオンプレーティング法のためシンプルで環境負荷の少ないクリーンなプロセスを実現。 膜厚や膜質の制御性も高くＣＶＤに比べ、排ガス処理・メンテナンス性・設置面積・ランニングコストの全てに優れた新成膜装置
- 企業：神港精機株式会社 東京支店
- 価格：応相談
