緻密で耐摩耗性と耐酸化性に優れたSiC(シリコンカーバイド)膜をPVDで形成。新型イオンプレーティング法で厚膜(7μm)形成
新開発アークフィラメント型イオンプレーティング法により従来に無かったPVD法による」SiC成膜を実現。 400℃以下の低温で緻密で耐摩耗性・耐酸化性に優れたSiC膜を形成可能とした新成膜技術を採用。 個体シリコンを出発材料としたイオンプレーティング法のためシンプルで環境負荷の少ないクリーンなプロセスを実現。 膜厚や膜質の制御性も高くCVDに比べ、排ガス処理・メンテナンス性・設置面積・ランニングコストの全てに優れた新成膜装置
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基本情報
電子銃による個体シリコンの蒸着を基本としたイオンプレーティング装置。 高密度のプラズマを形成できるシンプルなイオン化機構によりシリコン上記と反応ガスとのリアクティブプロセスを実現。 基板の形状や成膜の目的に合わせて基板設置方法や治具も専用設計。 立体形状基板の全面成膜やマスク成膜も可能。 クリーンで操作容易な全自動イオンプレーティング装置。
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用途/実績例
精密金型コーティング。 レンズ金型コーティング 半導体用治具コーティング 半導体製造装置部品コーティング 治工具コーティング
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神港精機は技術主導のメーカーとして、特に真空機器分野において蓄積した数々のノウハウを生かし、ユーザーニーズに沿った革新的な製品を送り出しています。 又、近年はエレクトロニクス・新素材などの最先端分野へ挑戦し特長ある技術の高度化と有機的結合により、真に価値のあるハードウェアとソフトウェアの開発を目指し取り組んでいます。