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グラファイト化/高温アニール/表面改質/灰分低減を1台で。真空×Ar/H2対応、研究〜少量量産の熱処理を高再現
当社では、3000℃級・極低酸素の「カーボン炉」を取り扱っております。 酸素分圧が下がらず、高温域で酸化・脱炭が発生して目標特性に届かない、 チューブ炉ではトレイ自由度が乏しく処理量が低い/試料サイズ制約が厳しい といった課題を解決。 黒鉛材料や黒鉛箔・黒鉛シート、等方性黒鉛・成形体の用途に使用可能です。 【黒鉛化で効く理由】 ■極低酸素を作りやすい：炉材がカーボンで残存酸素を化学的に捕捉＋真空置換で 試料内部空気を事前に排除 ■3000℃級の温度帯：-3000℃の黒鉛化域で均熱・保持が安定、短時間到達・高再現 ■トレイ/サヤ設計の自由度：角型サヤ＋棚積みで複数サンプルを同時処理、 条件出しを高速化 ■雰囲気柔軟性：真空/Ar/N2/低濃度H2※で欠陥低減・熱脱離を組み合わせ可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
長年のシール設計・加工精度・組立手順により微小リークを抑制！長時間運転でも低O2をキープ
当社で取り扱う小型カーボン炉について、なぜ低酸素・超高温が実現できる のかをご紹介します。 カーボン炉材が残留酸素と反応し、“漏らさない"設計と製作ノウハウが 特長で、真空ポンプ＋置換で粉末内部の空気まで除去します。 放射率の高いグラファイトヒーター×均熱ホットゾーン×高断熱で効率よく 加熱し、局所過熱を避けつつ3000℃クラスまで安定到達が可能です。 【小型カーボン炉の特長】 ■3000℃まで昇温可能：グラファイトヒーターの輻射熱で短時間に超高温へ ■低酸素での焼成がしやすい：炉内カーボンが残留O2と反応 ■粉末内部の空気も置換：真空→不活性ガスの繰り返しで粒子間のO2を低減 ■温度ムラを抑制：均一に温める"均熱ゾーン"で中央/端部/厚み方向の差を縮小 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
炉材カーボンのゲッタリングと真空置換で極低酸素分圧を実現し、超高温域での処理に好適
当社で取り扱う「カーボン炉」は、条件出しに時間がかかり、 短サイクルでの再現が難しいなどといった課題を解決します。 真空引きで試料内部の空気を事前に排出、置換時間を短縮。 また、トレイ自由度/棚構成で角型サヤなどを並列配置し、 厚みムラの影響評価も可能です。 当社では、テスト機もご用意いたしております。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【当社カーボン炉が効く理由(一部)】 ■極低酸素分圧での焼成 ・真空→Ar/N2へ段階置換 ・炉材カーボンのゲッタリング効果で残存O2/酸化性種を低減 ■超高温プロセス ・常用～2800℃、最大～3000℃クラスでの長時間安定運転 ・1200～2600℃帯の緩昇温→保持で粒成長や再配列を精密制御 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
前処理～本焼成を1台で。研究〜少量量産の温度レシピ出しに好適
当社で取り扱う「カーボン炉」は、“極低酸素×3000℃級×真空置換"で 再現よく高温相転移・結晶化・焼結できます。 相転移・再結晶化の促進/粒成長制御(高温域での相安定化)や セラミックス・難焼結材料の緻密化焼結、表面・界面のエネルギー制御 (低酸素下での表面安定化)などのプロセスに使用可能。 研究〜少量量産の温度レシピ出しに適しています。 【当社カーボン炉が効く理由(一部)】 ■極低酸素分圧をつくる ・真空引き→Ar/N2置換(必要に応じ希薄H2※)で酸素ポテンシャルを段階低下 ※H2は装置の安全設計範囲(例：4％以下目安)で運用 ・炉材カーボンのゲッタリングで残存O2を吸収し、副反応を抑制 ■3000℃級の高温安定 ・常用～2800℃/最大～3000℃、緩昇温→保持で相転移・結晶化・焼結を精密制御 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
高温材料の合成・焼結や炭素系材料の高結晶化に！主な用途例をご紹介
前回は、小型カーボン炉の"原理"について紹介しました。 今回は、実際にどのような用途で使われているのか、またどのような 研究・開発に応用できるのかを紹介します。 ■主な用途例 1.高温材料の合成・焼結(～3000℃) カーボン炉ならではの極低酸素環境により、炭化物·窒化物などの 高融点材料を酸化させずに焼成可能。 2.炭素系材料の高結晶化 グラファイトやカーボンナノチューブなどの高結晶化に好適。 3.金属材料の高温処理·還元反応 金属酸化物を低酸素下で還元し、微細構造や相制御が可能。 4.高温ガス反応の評価 N2、H2、Arなど多様な雰囲気で、反応性ガスとの相互作用や材料安定性を検証。 5.研究開発·試作スケールでの材料プロセス評価 短時間で条件最適化を行うためのR＆D用途として。 今後は、より精密な酸素分圧制御を活かした新素材開発への応用を検討して います。次回は「仕様」について詳しく紹介します。 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
SiC/TiC/ZrCを高温・極低酸素で“速く・再現よく"。固相炭化・複合炭化(B4C併用)や炭素供給条件の最適化を短サイクルで
当社では、真空→不活性ガスへ段階置換できる小型の「カーボン炉」を 取り扱っております。 固相炭化(粉末混合法・被覆法・浸炭)や複合炭化(B4C併用など)による 高硬度化、炭素供給条件の最適化(炭素材の種類・比率・接触状態)などの 実験・プロセスに使用可能です。 ご要望の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【当社カーボン炉が選ばれる理由(一部)】 ■短時間で高温域へ ・1600-2800℃＊＊を安定到達・保持 ・炭化に効く温度目安：SiC 1600–2000℃、TiC 1500–2100℃、ZrC 1800–2300℃ ■極低酸素分圧で副反応を抑制 ・真空引き→Ar/N2へ置換 ・炉材カーボンのゲッタリングで残存酸素を低減、CO生成を抑える ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
“極低酸素×高温×真空置換"で再現よく。N2ベースの固相窒化・表面窒化・層成長試験を短サイクルで
当社で取り扱う「カーボン炉」は、窒化の基礎反応試験に好適です。 N2のみでは反応開始温度が高いため、粒成長・粗大化とのバランスが難しい、 冷却時に表面再酸化し、色調・抵抗・硬度のばらつきにつながるなどといった 課題を解決します。 また当社は、小型機以外にも量産スケールの炉も製作実績があります。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【当社カーボン炉が効く理由】 ■極低酸素分圧をつくる ・真空引き→N2置換で酸素ポテンシャルを段階的に下げる ・炉材カーボンのゲッタリングが残存O2を吸収し、酸化側副反応を抑制 ■十分な高温域へ素早く到達 ・1400-2400℃まで短時間で到達・安定保持 ■短サイクルで条件出し ・トレイ自由度/棚構成で複数試料を同時評価、厚み・接触の影響を検証しやすい ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
