【技術資料】超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード
開発したデバイスの大電流駆動化を進め、2021年度からの製品化を目指します。
当技術資料は『超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード』 について掲載しています。 当社では、市販のSiC製ショットキーダイオードよりも順方向損失を 最大で40％低減することに成功しました。 開発したデバイスの大電流駆動化を進め、2021年度からの製品化を目指します。 また「酸化ガリウム トレンチMOSFET」についてもご紹介しています。 【掲載内容】 ■超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード ■酸化ガリウム トレンチMOSFET ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社ノベルクリスタルテクノロジー 本社
- 価格：応相談
