開発したデバイスの大電流駆動化を進め、2021年度からの製品化を目指します。
当技術資料は『超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード』 について掲載しています。 当社では、市販のSiC製ショットキーダイオードよりも順方向損失を 最大で40％低減することに成功しました。 開発したデバイスの大電流駆動化を進め、2021年度からの製品化を目指します。 また「酸化ガリウム トレンチMOSFET」についてもご紹介しています。 【掲載内容】 ■超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード ■酸化ガリウム トレンチMOSFET ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【当社の功績】 ■超低損失酸化ガリウム ショットキーバリアダイオード ・市販のSiC製ショットキーダイオードよりも順方向損失を最大で 40％低減することに成功 ■酸化ガリウム トレンチMOSFET ・酸化ガリウムホモエピタシャル膜を用いた、低損失トレンチMOS型 パワートランジスタの動作実証に成功 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
株式会社ノベルクリスタルテクノロジーは、株式会社タムラ製作所から カーブアウトして創立されたベンチャー企業です。 「新しい材料が拓く、新しい未来の暮らし」をコンセプトに、 新材料「酸化ガリウム」を世に広める仕事をしています。