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5V～24V電源ライン向けに、過電圧保護機能(OVP)付き製品を拡充しました
『TCK42xGシリーズ』は、ロードスイッチ回路の小型化と低損失化に 貢献するNch-MOSFETゲートドライバーICです。 チャージポンプを内蔵し、外付けMOSFETのゲート・ソース間に 安定電圧を供給。高い最大入力定格と幅広い動作電圧範囲を有しています。 5V～24V 電源等に使いやすい5種類のV IN_OVLOをご用意しています。 ぜひご利用ください。 【特長】 ■高い最大入力定格と幅広い動作電圧範囲 ■幅広いOVPラインアップ ■低消費電流 ■コモンドレイン接続に対応 ■チャージポンプを内蔵し、外付けMOSFETのゲート・ソース間に 安定電圧を供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
堅牢なモノリシック構造を実現！出力ドライバーには電流バッファ段を搭載
「1ED44171N01B」は、EiceDRIVER 25V 1chローサイド非反転ゲート ドライバーICで、故障検出機能を搭載しています。 小型5ピンPG-SOT23パッケージで、ソース/シンク電流は標準値で2.6Aを提供。 当製品は、1つのPCBレイアウトで、ニーズのあるIRS44273Lの セカンドソースオプションとして併用することができます。柔軟性のある 供給を迅速に対応できる二社購買戦略を単一サプライヤーで実現します。 【特長】 ■最大25Vの広いVCC電源電圧範囲 ■フォールト出力およびイネーブル機能用1端子 ■プログラマブルなフォールトクリアタイム ■低電圧誤作動防止機能(UVLO)は、標準値のオン/オフ=11.9V/11.4V ■3kV ESD HBM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
独自のラッチアップ耐性をもつCMOS技術！、堅牢なモノリシック構造を実現
『1ED44171N01B』は、故障検出機能を搭載したEiceDRIVER 25V 1ch ローサイド非反転ゲートドライバーICです。 小型5ピンPG-SOT23パッケージで、ソース/シンク電流は 標準値で2.6 Aを提供。 また、1つのPCBレイアウトで、ニーズのあるIRS44273Lの セカンドソースオプションとして併用することができ、 柔軟性のある供給を迅速に対応できる二社購買戦略を 単一サプライヤーで実現します。 【特長】 ■最大25Vの広いVCC電源電圧範囲 ■フォールト出力およびイネーブル機能用1端子 ■プログラマブルなフォールトクリアタイム ■低電圧誤作動防止機能は、標準値のオン/オフ＝11.9V/11.4V ■3kV ESD HBM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーカット回路内蔵により消費電力を抑えることが可能!
本製品は、パワーカット回路を内蔵しており、ON/OFF端子への印加電圧を切り替えるだけで、外部から製品動作の開始／停止制御を簡単に行うことができます。 さらに、UVLO（Under Voltage Lock Out）回路を搭載しているため、電源電圧が約16V以上で自動的に動作を開始し、約14V以下で停止する安全設計となっています。 IGBTドライバとしての回路構成を採用しており、GATEIN端子入力に対して以下の動作を行います。 ・Low→High入力時：入力電圧が約2.7V以上でB端子がLow出力 ・High→Low入力時：入力電圧が約2.5V以下でB端子がHigh出力 本製品をご採用いただくことで、IGBT使用時の消費電力低減に加え、システム全体の省電力化にも貢献可能です。 「消費電力を抑えたい」「外部制御を簡単に実現したい」といったお客様へのご提案に最適な製品です。 詳細につきましては、ぜひお気軽に弊社営業担当までお問い合わせください。
ULVO機能内蔵しており、電源電圧20Vシステムに最適な仕様！
本製品は、UVLO回路を内蔵しており、約14.2V以上で動作を開始し、約12.4V以下になると動作を停止する安全設計となっています。 さらに、IGBTドライバとしての回路構成を採用しており、GATEIN端子は入力に対して以下の動作を行います。 ・Low→High入力時：入力電圧が約2.7V以上でB端子がLow出力 ・High→Low入力時：入力電圧が約2.5V以下でB端子がHigh出力 本製品をご採用いただくことで、IGBT使用時の消費電力低減に加え、システム全体の省電力化にも貢献可能です。 「消費電力を抑えたい」「外部制御を簡単に実現したい」といったお客様へのご提案に最適な製品です。 詳細につきましては、ぜひお気軽に弊社営業担当までお問い合わせください。
降圧レギュレータ搭載60V、3相スマート・ゲート・ドライバ 『DRV8320R』
『DRV8320R』は、3つのハーフブリッジ・ゲート・ドライバを備え、それぞれハイサイドとローサイドの Nチャネル・パワーMOSFETを駆動可能。 ハイサイドMOSFET用に内蔵チャージ・ポンプを、ローサイドMOSFET用にリニア・レギュレータを使用し、 適切なゲート駆動電圧を生成します。スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャは最大1Aのソースと 2Aのシンク・ピーク・ゲート駆動電流能力をサポートします。 単一電源で動作し、ゲート・ドライバに対して6V～60V、オプションの降圧レギュレータについては4V～60Vの 広い入力電源電圧をサポートします。6x、3x、1x、独立入力のPWMモードにより、コントローラの回路との 簡単な接続が可能になります。ゲート駆動とデバイスの構成設定は、SPIまたはハードウェア（H/W）インターフェイスを 使用して柔軟に変更できます。 ※詳細はお問い合わせください。
