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低、中、高速スイッチングのアプリケーションに最適化された新しいGen5IGBT
『650V XPT Gen5ディスクリートIGBT』は、独自のXPT薄ウェハ技術と新しい 第5世代トレンチIGBTプロセスを使用して開発された製品です。 熱抵抗が低く、エネルギーの損失が少なく、高速スイッチングが可能で、 テール電流が低く、高い電流密度を持っています。 また、ゲートチャージも低く、ゲート駆動要件を低減するのに役立ちます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、 A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC＝110℃において最大220Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
鉄抵抗RthJCの低減は、熱設計の簡素化ができます
『1200V XPT Gen4トレンチディスクリートIGBT』は、低、中、高速スイッチングの アプリケーションに最適化された新しいGen4IGBTです。 XPT薄型ウェハ技術と第4世代トレンチIGBTプロセスを搭載したこれらの 1200Vデバイスは、ゲート駆動要件と導通損失の低減に貢献します。 また、低い熱抵抗、低損失と高電流密度が特長です。 さらに、コレクターエミッタ電圧の正の温度係数により、複数のデバイスを 並列に使用することができます。 【メリット】 ■各アプリケーションのスイッチング周波数要件に対応するために、 A4、B4およびC4の最適化されたスイッチングクラスを提供 ■ゲート電荷量Qgの減少により、ゲートドライバ要件を低減 ■正のVCE(SAT)温度係数により並列使用が容易 ■TC＝110℃において最大140Aのコレクタ電流能力を持つ高い電力密度 ■鉄抵抗RthJCの低減により、熱設計の簡略化が可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
