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SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)！高い電力密度を実現
「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により 効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、 システムコストの削減につながります。 【特長】 ■RDS(on)を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■高いスイッチング周波数に好適 ■175℃のジャンクション温度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載！並列接続数を低減しシステムコスト削減を実現
『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の 製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。 システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。 逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を 最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が 向上します。 【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
