パワーMOSFETのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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パワーMOSFET - メーカー・企業8社の業務用製品ランキング | イプロスものづくり

更新日： 集計期間:2026年02月18日～2026年03月17日
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パワーMOSFETのメーカー・企業ランキング

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  1. インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社 東京都/電子部品・半導体
  2. リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社 神奈川県/電子部品・半導体
  3. 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 東京都/電子部品・半導体
  4. 4 Rochester Electronics, Ltd. 日本営業本部 東京都/電子部品・半導体
  5. 4 オーエン株式会社 埼玉県/電子部品・半導体
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パワーMOSFETの製品ランキング

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  1. パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  2. パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  3. Analog Power Inc リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社
  4. 4 パワーMOSFET『CoolMOS P7』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  5. 4 Goford Semiconductor リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社

パワーMOSFETの製品一覧

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【資料】WTIブログ　2020年10月

【資料】WTIブログ　2020年10月

DC-DCコンバータ設計での電源設計時の着眼点や、パワーMOSFETのアバランシェ試験などを掲載！

当資料は、技術者不足を解決する「開発設計促進業」である 株式会社Wave Technologyの、2020.10.2～2020.10.30までのWTIブログを まとめています。 2020.10.2の「パーシャルパワーダウン時に重要なIoff機能」をはじめ、 2020.10.7の「DC-DC コンバータ設計 電源設計時の着眼点」や、 2020.10.30の「パワーMOSFET のアバランシェ試験とは」などをご紹介。 この他にも、製品や業界に関するお役立ち情報を多数掲載しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■2020.10.2 パーシャルパワーダウン時に重要なIoff 機能 ■2020.10.6 基板設計の手順と入社2年目エンジニアの醍醐味！ ■2020.10.7 DC-DC コンバータ設計 電源設計時の着眼点 その2 ■2020.10.8 スイッチング電源回路方式の特長 ■2020.10.9 IoT 機器のOTA 導入が意外と進まない理由とは ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • 基板設計・製造
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パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』

パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』

TOLｘファミリーに新たに加わったパッケージ！高い性能とシステム全体の効率化を実現

当製品は、TO-Leadless (TOLL) パッケージ同様に、大電流対応の 薄型パッケージです。 TOLGは、TO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィング リードを採用することで高い温度サイクル耐量を実現。 TOLGの主な利点は、高効率、低EMI、高電力密度で、高い性能と システム全体の効率化が可能です。 【特長】 ■最高クラスのテクノロジー ■高い電流定格 ■リンギング及び電圧オーバーシュート ■D2PAK 7ピン パッケージに比べて、ボードサイズを60％低減 ■ガルウィングリード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』

パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』

ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以下！

当製品は、優れた熱性能を可能にする新しいトップサイド冷却パッケージです。 TO-Leaded top-side cooling (TOLT)パッケージをポートフォリオに 導入することで、高性能パッケージの提供を拡大可能。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、 好適な熱性能を実現するトップサイドクーリングの利点を備えています。 【特長】 ■低 RDS(on) ■高電流定格 ■上面冷却 ■ネガティブスタンドオフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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Power Stage100V『DHP1050N10N5』

Power Stage100V『DHP1050N10N5』

基板面積を最大で50％削減！レベルシフトドライバを実装した対称型ハーフブリッジMOSFET

『DHP1050N10N5』は、通信用バスコンバータなどの高度な DC-DCコンバータアプリケーション向けに設計された100Vハーフブリッジ 集積Power Stageです。 サーマルビアをMOSFETチップの直下に配置することで、RthJAを低下。 DC-DCテレコムコンバータの電力密度の向上や実装面積のコンパクト化が 求められるなか、新しいシリコン技術を活用し、性能と信頼性を向上させながら こうした難しい設計パラメータを満たすソリューションを提供します。 【特長】 ■レベルシフトドライバーを内蔵した100V耐圧対称型ハーフブリッジMOSFET ■OptiMOS5パワーMOSFET 100Vテクノロジー ■差動入力による優れた耐久性と固有のシュートスルー保護機能 ■120Vオンチップ ブートストラップ ダイオード ■鉛フリーRoHS対応パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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OptiMOS パワーMOSFET 25V～100V

OptiMOS パワーMOSFET 25V～100V

ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止！高い電力密度と性能を保有

インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した 製品ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワーMOSFET『CoolMOS P7』

パワーMOSFET『CoolMOS P7』

ThinPAK 5x6パッケージに搭載！幅の広い製品ラインアップから適切な製品を選択可能

700Vおよび800Vの『CoolMOS P7』パワーMOSFET製品ファミリーは、 フライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション向けに 開発されています。 保護用ツェナーダイオード内蔵。磁性体サイズ及びBOMコストの削減が 可能なほか、HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現しています。 また、小型で高い電力密度の設計が可能で、幅の広い製品ラインアップから 適切な製品をお選びいただけます。 【特長】 ■コスト競争力のある技術 ■スイッチング速度の高速化による効率性の向上 ■磁性体サイズ及びBOMコストの削減が可能 ■HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現 ■駆動しやすく、優れたデザイン性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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OptiMOS 5パワーMOSFET＜リードレスパッケージ＞

OptiMOS 5パワーMOSFET＜リードレスパッケージ＞

非常にコンパクトなデザインを実現！小型電気自動車、eスクーター等のアプリケーションに好適

インフィニオンは、150VのOptiMOS 5パワーMOSFETの製品ラインアップを TO-Leadlessパッケージを採用した製品に拡大しています。 大電流設計、高電力密度、低EMIが可能。小型電気自動車、eスクーター、 ホットスワップ、バッテリー管理システムなどのアプリケーションに好適。 接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少します。 【特長】 ■最大300Aまでの高電流に対応 ■接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少 ■非常に低いパッケージ寄生容量 ■リードレスパッケージ ■並列接続数や冷却の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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OptiMOS 5 60V パワーMOSFET

OptiMOS 5 60V パワーMOSFET

SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載！並列接続数を低減しシステムコスト削減を実現

『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の 製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。 システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。 逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を 最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が 向上します。 【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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MOTIX BTN9990LV

MOTIX BTN9990LV

ハーフブリッジ、フルブリッジ(2x)構成に対応！コストの最適化を実現

『MOTIX BTN9990LV』は、pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイド MOSFET、ドライバーICチップを1パッケージ化した製品です。 ディスクリートソリューションと比較して、PCB面積とBOMが少なく、 診断、電流検出、保護機能を統合し、システムの信頼性を向上。 大電力のPMOS、NMOS、ドライバーICを統合し、設計と製造の工数を 最小限に抑えます。 【特長】 ■pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイドMOSFET、 　ドライバーICを小型のHSOF-7パッケージに搭載 ■AEC-Q100/Q006認証(グレード1) ■パス抵抗 typ.5.3mΩ@25℃(最大9.6mΩ@150℃) ■電源電圧範囲8V～18V(最大40Vまで) ■低暗電流(最大3.3μA@85℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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StrongIRFET2パワーMOSFET60V

StrongIRFET2パワーMOSFET60V

高速/低速両方のスイッチングに好適！より高性能な選択肢を提供

『StrongIRFET2パワーMOSFET60V』は、 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンの MOSFET技術です。 低速および高速の両スイッチング周波数に好適。 当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • スイッチング電源
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CoolMOS/CoolSiC/CoolGaN

CoolMOS/CoolSiC/CoolGaN

アプリケーション要件に応じて特定の価値提案を提供！力の違いを体験してください

『CoolMOS SJ MOSFET』製品は、伝導損失、スイッチング損失、 駆動損失の点で優れた性能指数を誇ります。 非常に効率的でコンパクトなシステム設計が可能になり、より優れた性能の 製品に対する将来の需要に対応できます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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60V パワーMOSFET「StrongIRFET 2」

60V パワーMOSFET「StrongIRFET 2」

幅広い用途に対応する豊富な製品ラインアップ！複数の販売パートナーで利用可能

「StrongIRFET 2 in 60VパワーMOSFET」は、幅広いアプリケーションに 対応する当社の先進世代のMOSFET技術で、低速および高速の 両スイッチング周波数に適しています。 この新ファミリーは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な 選択肢を提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワーMOSFET OptiMOS 6 135 V

パワーMOSFET OptiMOS 6 135 V

Vgs(th)のばらつきを抑え、並列接続能力を向上させることにより、スケーリングが容易になり、電力出力が向上！

『OptiMOS 6 135 V』は、小型電気自動車(LEV)、電子フォークリフト、 電動工具、園芸工具などの高出力モーター制御アプリケーションや、 主に72 Vや84 Vのバッテリーを使用するUPSを対象にしています。 本製品ファミリーは、120 Vと150 VのMOSFET間のギャップを効果的に埋め、 低いRDS(on)で高性能を実現し、効率的な電力処理、電力損失の低減を 実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■Vgs(th)のばらつきが少ない ■きわめて低い逆回復電流(Qrr) ■幅広いパッケージラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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パワーMOSFET OptiMOS 6 200 V

パワーMOSFET OptiMOS 6 200 V

ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせを実現！

新しい『OptiMOS 6 200 V MOSFET』は、インフィニオンの先進トレンチ MOSFET技術を代表する製品です。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減しています。ゲート閾値電圧の ばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、 並列接続に優れたデバイスです。 本製品は、穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、 出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、 様々な動作条件においてシステム効率を向上させます。 【主な特長】 ■RDS(on)を42％低減 ■3倍ソフトなダイオードで、キャパシタンス直線性も向上 ■Qrrが89％低減 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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パワーMOSFET CoolSiC G1 750 V

パワーMOSFET CoolSiC G1 750 V

使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です！

新しい『CoolSiC MOSFET 750 V G1』は、最高レベルのシステム性能と 信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 本製品は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を活かし、性能、信頼性、 堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、高い効率と電力密度を 実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高 Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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MOSFETパワーディスクリート 1700V

MOSFETパワーディスクリート 1700V

補助電源アプリケーション向けの高い効率！優れた放熱性、低い熱抵抗

『MOSFETパワーディスクリート 1700V』は、ソーラーインバーター、 EV充電器、UPS、一般的なモーター制御など、高効率レベルのシングル エンドフライバック補助電源アプリケーションに適しています。 主な特長には、フライバックコントローラーを使った直接駆動、 ゲートドライバーICが不要、低損失な高電圧遮断、優れた熱性能を実現する .XT相互接合技術、信頼性を高める長い沿面距離と空間距離のパッケージ などが挙げられます。 【主な特長】 ■フライバックトポロジー向けに最適化 ■きわめて低いスイッチング損失 ■12V/0Vゲートソース電圧 ■フライバックコントローラーと互換性あり ■ゲート閾値、VGS(th)＝4.5V ■.XT接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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車載用 Nチャンネル パワーMOFFET 100V

車載用 Nチャンネル パワーMOFFET 100V

優れたスイッチング性能！5×6mmのパッケージで最高レベルの電力密度です

『車載用 Nチャンネル パワーMOFFET 100V』は、汎用性、堅牢性に優れた 高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2)で提供いたします。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 “IAUCN10S7N021"は、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品。 最高クラスの従来品からRDS(on)を47％低減し、業界最小クラスのRDS(on)と FOM(RDS(on)×Qg)を実現しました。 【主な特長】 ■前世代品よりRDS(on)が47％低減 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■前世代品より75％高いID電流 ■高いアバランシェ耐量 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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ICE8N60LK, 13A,600V DFN56 新登場！！

ICE8N60LK, 13A,600V DFN56 新登場！！

小さくて薄いパッケージDFN56の登場。

アバランシェに強い製品ながら８A,600VのMOSFET. 小型化された電源に最適です。

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ICE8N60T, 8A,600V TOLLパッケージが登場！

ICE8N60T, 8A,600V TOLLパッケージが登場！

アバランシェに強い製品です　

GEN1シリーズ 他のパッケージタイプもございます

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『CSD22206W』

『CSD22206W』

8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD22206W』

この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。 【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの小さな占有面積 ■鉛不使用 ■ゲートESD保護 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。

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【EOL品継続供給】70億個以上のオンセミ製品供給

【EOL品継続供給】70億個以上のオンセミ製品供給

オンセミコンダクター製品の継続供給サポート/製造中止品(EOL品)の再生産

ロチェスターエレクトロニクスは、オンセミコンダクターより認定された正規販売代理店及び製造メーカーです。 パワー、アナログやインテリジェント・センシング・ソリューションなど70億個以上の在庫を保有し、オンセミ製品の継続供給をサポートしています。 オンセミはモトローラの半導体製品部門がスピンオフとして1999年に設立、ロチェスターエレクトロニクスとはその以前1981年からパートナーシップを組んでいます。 さらに、近年Catalyst、 SanyoそしてFairchildの買収により、これらのレガシー製品の継続供給も可能になりました。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、ルネサス エレクトロニクス、NXPなどの主要半導体メーカーから認定を受けた正規販売代理店として、メーカー正規品在庫を保有し販売しています。 製造中止製品(EOL品)も再生産ソリューションにより継続的にご使用いただけます。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。

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【EOL品再生産】オンセミ製品の継続供給サポート

【EOL品再生産】オンセミ製品の継続供給サポート

現行品でリードタイムの長い製品である製品群を18億個、8、000種類の在庫を保有

ロチェスターは、オンセミより認定された正規販売代理店および製造メーカーであり、37億個以上の在庫と37、000個の製品群を保有しています。 包括的なオンセミポートフォリオには、パワーコントローラとレギュレータ、パワーMOSFETとIGBT、クロックジェネレータ、センサおよびその他多くが含まれています。 ・スイッチレギュレータ ・LDOs/リニアレギュレータ ・スーパーバイザ/リセット ・MOSFET など 詳しくはぜひカタログをダウンロード、もしくはお気軽にお問合せください！ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、オンセミなどのオリジナル半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を販売しています。

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パワーMOSFET『StrongIRFET 2』＜産業機器向け＞

パワーMOSFET『StrongIRFET 2』＜産業機器向け＞

多種多様なアプリケーションに対応！高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適

当社が取り扱う、産業機器向けのパワーMOSFET『StrongIRFET 2』を ご紹介します。 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンのMOSFET技術で、 低周波と高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 この新しいシリーズは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格/性能比 ■高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V

OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V

ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化！産業機器向けのパワーMOSFETをご紹介

『OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V』は、ロジックレベルのゲート駆動を必要とする アプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。 オン抵抗とメリットの数値が改善されたため、高効率な設計ができ、 熱設計も容易。並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも つながります。 インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性能向上が可能です。 【特長】 ■Nチャネル：エンハンスメントモード ■超低オン抵抗 RDS(on) ■優れた熱抵抗 ■175℃定格 ■100%アバランシェ試験済み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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IAUZ40N06S5L050/IAUC41N06S5N102

IAUZ40N06S5L050/IAUC41N06S5N102

コンパクトでありながら優れた熱性能！車載60VMOSFETファミリーをご紹介

『IAUZ40N06S5L050/IAUC41N06S5N102』は、低いRDS(on)、QG、ゲート容量で 先端の性能を提供する車載60VMOSFETファミリーのOptiMOS 5新製品です。 既存の製品ファミリーに加えて、業界標準の小型パッケージのS3O8(3x3mm2)と SingleSS08(5x6mm2)の2つが加わりました。 異なるボードネットに対して統一されたプラットフォーム コンセプトを 目指す場合、お客様の開発コストを削減することができます。 【特長】 ■スイッチング動作の最適化 ■高負荷対応の銅製クリップ ■最大41Aまでの電流負荷 ■コンパクトでありながら優れた熱性能 ■EMC性能の改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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OptiMOS 6 パワーMOSFET

OptiMOS 6 パワーMOSFET

SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)！高い電力密度を実現

「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により 効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、 システムコストの削減につながります。 【特長】 ■RDS(on)を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■高いスイッチング周波数に好適 ■175℃のジャンクション温度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3

OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3

ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3×3.3)に搭載！高い放熱性能

当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。 PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまで。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％と大幅に削減 ■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善 ■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供 ■最適化された新しいレイアウトの可能性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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CoolMOS CFD7 650V パワーMOSFET

CoolMOS CFD7 650V パワーMOSFET

ThinPAK8×8に封止！最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ

当社の「CoolMOS CFD7 650V パワーMOSFET 」をご紹介いたします。 高速ボディダイオードを内蔵したスーパージャンクションMOSFETで、 大電力の共振トポロジーに好適な製品。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフル ブリッジ(ZVS)回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、 最高クラスの効率を実現します。 【特長】 ■超高速ボディダイオード＆超低Qrr ■絶縁破壊電圧650V ■最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ ■著しく低減されたスイッチング損失 ■RDS(on)の温度依存性が低い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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CoolMOS P7 パワーMOSFET ThinPAK 5×6

CoolMOS P7 パワーMOSFET ThinPAK 5×6

電力密度の向上に役立ちます！対象アプリケーションに完璧に適合

当社の「CoolMOS P7 パワーMOSFET ThinPAK 5×6」をご紹介いたします。 アダプターと充電器、照明、オーディオSMPS、スマートメーター、AUX、 産業用電源などのフライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション 向けに開発。 5×6mm2という非常に小さなフットプリントと、高さ1mmという非常に低い プロファイルが特長です。 【特長】 ■高性能技術 ・低いスイッチング損失(Eoss) ・高効率 ・優れた温度特性 ■高速スイッチングが可能 ■保護用ツェナーダイオード内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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車載オンボードチャージャー＆DC-DCアプリ向けSiC

車載オンボードチャージャー＆DC-DCアプリ向けSiC

20/0 VGSで動作！オン抵抗(Ron)・熱抵抗の低減を実現します

インフィニオンは、TO247-4パッケージのSiC 1200Vディスクリートにより、 「車載用CoolSiC MOSFET」のラインアップを拡充しました。 ケルビンソースピンを追加したことで、最高クラスのスイッチング性能、 寄生ターンオンに対する堅牢性、RDSonおよびRth(j-c)の向上を実現し、 OBCおよびDCDCアプリケーション向けの理想的な選択肢となっています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■高いターンオン電圧 VGS(on)＝ 20 V ■0 Vターンオフ ゲート電圧 ■低いCrss/Ciss比、高いゲートソース間閾値電圧(VGS(th)) ■ゲート電荷(QGtot)を低減 ■高電圧沿面距離要求に好適 ■はんだブリッジのリスクを低減する薄型リード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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