アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
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【パワーMOSFET・MEMS技術基盤ウエハー】のメーカーです。MEMSや貼り付け技術で製造と開発をリードします！
当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI（シリコンオンインシュレーター）、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立いたしました。(米国本社、英国製造拠点、東京R＆D拠点） 革新的な深いトレンチエッチを持つMEMS構造の高耐圧スーパージャンクションMOSFETを、シンプル且つ低コストプロセスで開発、実現しました。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。
事業内容
【取扱品目】 ■技術シリコン基板の製造、ファウンドリーサービス SOI = Silicon on Insulator SiSi = Silicon Silcon bonded MEMS = Microelectromechanical Systems DSOI= Double SOI DSP=Double Sided Polished CSOI=Cavity SOI Thin SOI TSOI=Trench SOI TSV=Through-Silicon Vias ■スーパージャンクションMOSFET(>600V,>650V) 特長: 低オン抵抗 超低ゲート電荷量 耐高dv/dt特性 高耐アバランシェ特性 耐高ピーク電流特性 増相互コンダクタンス特性 アプリケーション: 産業用電源、充電器 データセンター、サーバー、クラウド、PC、Tablet 屋内外の電灯 : HID 、LED電灯 LED TV Driver ,動力電源 太陽光発電 HV,EV 充電器
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詳細情報
| 企業名 | アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社 |
|---|---|
| 従業員数 | 92名 |
| 連絡先 | 〒135-0064 東京都江東区青海2丁目７－４ the SOHO 0603地図で見る TEL：090-8614-7889 FAX：03-5579-6707 |
| 業種 | 電子部品・半導体 |
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