アバランシェに強い製品です
GEN1シリーズ 他のパッケージタイプもございます
アイスモス パワー半導体 スーパージャンクションMOSFET
GEN1シリーズ 他のパッケージタイプもございます
GEN1 ICE13N60FP , 13A,600V, Typ Rdson=230mohm,Qg=48nC
産業用電源、プリンター電源、通信用ルーター電源など
当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI(シリコンオンインシュレーター)、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立いたしました。(米国本社、英国製造拠点、東京R&D拠点) 革新的な深いトレンチエッチを持つMEMS構造の高耐圧スーパージャンクションMOSFETを、シンプル且つ低コストプロセスで開発、実現しました。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。