小さくて薄いパッケージDFN56の登場。
アバランシェに強い製品ながら８A,600VのMOSFET. 小型化された電源に最適です。
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基本情報
GEN1 ICE8N60LK, 8A,600V, Typ Rdson＝430mohm,Qg=32nC
価格帯
納期
用途／実績例
産業用電源、プリンター電源、通信用ルーター電源など
詳細情報
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DFN56 package
企業情報
当社は、電源に高いパフォーマンスを発揮する高耐圧のパワーMOSFETおよびMEMS技術プロセス、高度な技術基盤ウエハーやSOI（シリコンオンインシュレーター）、貼り付けシリコン基板を、高い費用対効果で提供するベストインクラスのサプライヤーとして2004年に設立いたしました。(米国本社、英国製造拠点、東京R＆D拠点） 革新的な深いトレンチエッチを持つMEMS構造の高耐圧スーパージャンクションMOSFETを、シンプル且つ低コストプロセスで開発、実現しました。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。
