アイスモス・テクノロジー・ジャパンのニュース一覧

シニアアプリケーションテクノロジスト　エイドリアン・ウォン氏による記事がBodo´s Power Systems" magazineに掲載されましたのでご紹介します。 高電圧パワー変換において、シリコンとSiCの限界を超える新しいMOSFET技術の開発とロードマップを紹介。シリコン超接合MOSFETの技術と応用し、IceMOSはMEMS技術を用いた高電圧超接合MOSFETを開発。既に商用化された600Vから730Vの製品を展開。SiCデバイスの現状と課題SiCは高耐圧と高速スイッチングに優れるが、効率向上には限界がある。4H-SiCのロードマップでは、より低損失のデバイス開発が進められている。IceMOSはSiCに超接合構造を導入し、性能向上を目指している。未来のデバイス構造とロードマップでは、IceMOSはシリコンとSiCの両方で次世代構造を追求。4H-SiCの超接合技術は、従来のSiC性能を大きく超える可能性がある。未来のデバイスは、シリコンとSiCの性能とコストのトレードオフを根本的に変える可能性がある。

弊社アイスモス・テクノロジーは２０２６年９月２日～４日に開催される SEMICON TAIWANに出展いたします。 TaiNEX1の１F　ブースI3000のUK　Pavillionにておまちしております。

アイスモス・テクノロジーはシリコンの信頼性と価格競争力を維持しつつ、当社の最新のHV MOSFET製品ラインアップの拡充（600～1500V）を拡大しています。 次世代パワーエレクトロニクスの開発に携わっている皆様に是非ご紹介させてください。 アイスモスのブースはこちら↓ PCIM Europe 2026（ホール5・ブース439） 無料チケットは数に限りがありますので、お早目にご連絡ください pcim2026@icemostech.com 宛てに、 件名を「Free Tickets PCIM 2026」とし、以下の情報を記載してメールをお送りください： • 氏名（フルネーム） • 会社のウェブサイト • 役職 • ご希望の来場日 ニュルンベルクでお会いできるのを楽しみにしています！