シリコンの限界を打ち破り、SiCの限界を超える
シニアアプリケーションテクノロジスト エイドリアン・ウォン氏による記事がBodo´s Power Systems" magazineに掲載されましたのでご紹介します。
高電圧パワー変換において、シリコンとSiCの限界を超える新しいMOSFET技術の開発とロードマップを紹介。シリコン超接合MOSFETの技術と応用し、IceMOSはMEMS技術を用いた高電圧超接合MOSFETを開発。既に商用化された600Vから730Vの製品を展開。SiCデバイスの現状と課題SiCは高耐圧と高速スイッチングに優れるが、効率向上には限界がある。4H-SiCのロードマップでは、より低損失のデバイス開発が進められている。IceMOSはSiCに超接合構造を導入し、性能向上を目指している。未来のデバイス構造とロードマップでは、IceMOSはシリコンとSiCの両方で次世代構造を追求。4H-SiCの超接合技術は、従来のSiC性能を大きく超える可能性がある。未来のデバイスは、シリコンとSiCの性能とコストのトレードオフを根本的に変える可能性がある。

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