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パワーMOSFET Product List and Ranking from 10 Manufacturers, Suppliers and Companies

Last Updated： Aggregation Period:2025年12月24日～2026年01月20日
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パワーMOSFET Manufacturer, Suppliers and Company Rankings

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  1. インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社 東京都/電子部品・半導体
  2. リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社 神奈川県/電子部品・半導体
  3. オーエン株式会社 埼玉県/電子部品・半導体
  4. 4 ジェイレップ株式会社 大阪府/電子部品・半導体
  5. 5 株式会社Wave Technology 兵庫県/サービス業
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パワーMOSFET Product ranking

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  1. パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  2. インフィニオン最新世代SiCパワー半導体 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  3. Goford Semiconductor リバウンドエレクトロニクス株式会社 本社
  4. 4 パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  5. 4 OptiMOS 6 パワーMOSFET インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

パワーMOSFET Product List

1～15 item / All 76 items

Displayed results
【資料】WTIブログ　2020年10月

【資料】WTIブログ　2020年10月

DC-DCコンバータ設計での電源設計時の着眼点や、パワーMOSFETのアバランシェ試験などを掲載！

当資料は、技術者不足を解決する「開発設計促進業」である 株式会社Wave Technologyの、2020.10.2～2020.10.30までのWTIブログを まとめています。 2020.10.2の「パーシャルパワーダウン時に重要なIoff機能」をはじめ、 2020.10.7の「DC-DC コンバータ設計 電源設計時の着眼点」や、 2020.10.30の「パワーMOSFET のアバランシェ試験とは」などをご紹介。 この他にも、製品や業界に関するお役立ち情報を多数掲載しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■2020.10.2 パーシャルパワーダウン時に重要なIoff 機能 ■2020.10.6 基板設計の手順と入社2年目エンジニアの醍醐味！ ■2020.10.7 DC-DC コンバータ設計 電源設計時の着眼点 その2 ■2020.10.8 スイッチング電源回路方式の特長 ■2020.10.9 IoT 機器のOTA 導入が意外と進まない理由とは ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他受託サービス
  • 組込みシステム設計受託サービス
  • 基板設計・製造

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パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』

パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』

TOLｘファミリーに新たに加わったパッケージ！高い性能とシステム全体の効率化を実現

当製品は、TO-Leadless (TOLL) パッケージ同様に、大電流対応の 薄型パッケージです。 TOLGは、TO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィング リードを採用することで高い温度サイクル耐量を実現。 TOLGの主な利点は、高効率、低EMI、高電力密度で、高い性能と システム全体の効率化が可能です。 【特長】 ■最高クラスのテクノロジー ■高い電流定格 ■リンギング及び電圧オーバーシュート ■D2PAK 7ピン パッケージに比べて、ボードサイズを60％低減 ■ガルウィングリード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • トランジスタ

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パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』

パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』

ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以下！

当製品は、優れた熱性能を可能にする新しいトップサイド冷却パッケージです。 TO-Leaded top-side cooling (TOLT)パッケージをポートフォリオに 導入することで、高性能パッケージの提供を拡大可能。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、 好適な熱性能を実現するトップサイドクーリングの利点を備えています。 【特長】 ■低 RDS(on) ■高電流定格 ■上面冷却 ■ネガティブスタンドオフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • トランジスタ

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Power Stage100V『DHP1050N10N5』

Power Stage100V『DHP1050N10N5』

基板面積を最大で50％削減！レベルシフトドライバを実装した対称型ハーフブリッジMOSFET

『DHP1050N10N5』は、通信用バスコンバータなどの高度な DC-DCコンバータアプリケーション向けに設計された100Vハーフブリッジ 集積Power Stageです。 サーマルビアをMOSFETチップの直下に配置することで、RthJAを低下。 DC-DCテレコムコンバータの電力密度の向上や実装面積のコンパクト化が 求められるなか、新しいシリコン技術を活用し、性能と信頼性を向上させながら こうした難しい設計パラメータを満たすソリューションを提供します。 【特長】 ■レベルシフトドライバーを内蔵した100V耐圧対称型ハーフブリッジMOSFET ■OptiMOS5パワーMOSFET 100Vテクノロジー ■差動入力による優れた耐久性と固有のシュートスルー保護機能 ■120Vオンチップ ブートストラップ ダイオード ■鉛フリーRoHS対応パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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OptiMOS パワーMOSFET 25V～100V

OptiMOS パワーMOSFET 25V～100V

ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止！高い電力密度と性能を保有

インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した 製品ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • ASIC

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パワーMOSFET『CoolMOS P7』

パワーMOSFET『CoolMOS P7』

ThinPAK 5x6パッケージに搭載！幅の広い製品ラインアップから適切な製品を選択可能

700Vおよび800Vの『CoolMOS P7』パワーMOSFET製品ファミリーは、 フライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション向けに 開発されています。 保護用ツェナーダイオード内蔵。磁性体サイズ及びBOMコストの削減が 可能なほか、HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現しています。 また、小型で高い電力密度の設計が可能で、幅の広い製品ラインアップから 適切な製品をお選びいただけます。 【特長】 ■コスト競争力のある技術 ■スイッチング速度の高速化による効率性の向上 ■磁性体サイズ及びBOMコストの削減が可能 ■HBMクラス2レベルの高いESD耐久性を実現 ■駆動しやすく、優れたデザイン性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • ASIC

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OptiMOS 5パワーMOSFET＜リードレスパッケージ＞

OptiMOS 5パワーMOSFET＜リードレスパッケージ＞

非常にコンパクトなデザインを実現！小型電気自動車、eスクーター等のアプリケーションに好適

インフィニオンは、150VのOptiMOS 5パワーMOSFETの製品ラインアップを TO-Leadlessパッケージを採用した製品に拡大しています。 大電流設計、高電力密度、低EMIが可能。小型電気自動車、eスクーター、 ホットスワップ、バッテリー管理システムなどのアプリケーションに好適。 接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少します。 【特長】 ■最大300Aまでの高電流に対応 ■接触面積の増加によりエレクトロマイグレーションが大幅に減少 ■非常に低いパッケージ寄生容量 ■リードレスパッケージ ■並列接続数や冷却の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

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OptiMOS 5 60V パワーMOSFET

OptiMOS 5 60V パワーMOSFET

SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載！並列接続数を低減しシステムコスト削減を実現

『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の 製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。 システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。 逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を 最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が 向上します。 【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 2023-04-18_10h54_01.png
  • その他電子部品

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MOTIX BTN9990LV

MOTIX BTN9990LV

ハーフブリッジ、フルブリッジ(2x)構成に対応！コストの最適化を実現

『MOTIX BTN9990LV』は、pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイド MOSFET、ドライバーICチップを1パッケージ化した製品です。 ディスクリートソリューションと比較して、PCB面積とBOMが少なく、 診断、電流検出、保護機能を統合し、システムの信頼性を向上。 大電力のPMOS、NMOS、ドライバーICを統合し、設計と製造の工数を 最小限に抑えます。 【特長】 ■pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイドMOSFET、 　ドライバーICを小型のHSOF-7パッケージに搭載 ■AEC-Q100/Q006認証(グレード1) ■パス抵抗 typ.5.3mΩ@25℃(最大9.6mΩ@150℃) ■電源電圧範囲8V～18V(最大40Vまで) ■低暗電流(最大3.3μA@85℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 4-2.PNG
  • 専用IC

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StrongIRFET2パワーMOSFET60V

StrongIRFET2パワーMOSFET60V

高速/低速両方のスイッチングに好適！より高性能な選択肢を提供

『StrongIRFET2パワーMOSFET60V』は、 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンの MOSFET技術です。 低速および高速の両スイッチング周波数に好適。 当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • スイッチング電源

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CoolMOS/CoolSiC/CoolGaN

CoolMOS/CoolSiC/CoolGaN

アプリケーション要件に応じて特定の価値提案を提供！力の違いを体験してください

『CoolMOS SJ MOSFET』製品は、伝導損失、スイッチング損失、 駆動損失の点で優れた性能指数を誇ります。 非常に効率的でコンパクトなシステム設計が可能になり、より優れた性能の 製品に対する将来の需要に対応できます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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60V パワーMOSFET「StrongIRFET 2」

60V パワーMOSFET「StrongIRFET 2」

幅広い用途に対応する豊富な製品ラインアップ！複数の販売パートナーで利用可能

「StrongIRFET 2 in 60VパワーMOSFET」は、幅広いアプリケーションに 対応する当社の先進世代のMOSFET技術で、低速および高速の 両スイッチング周波数に適しています。 この新ファミリーは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な 選択肢を提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

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パワーブロック パッケージのパワーMOSFET

パワーブロック パッケージのパワーMOSFET

2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、基板上の電源部を少なくとも50％縮小することが可能！

『スケーラブルパワーブロック』は、インフィニオンのパッケージ イノベーションであり、ローサイドとハイサイドの両方のMOSFETを、 さまざまなアプリケーションを対象としたコンパクトなリードレスSMD (6.3 x 6.0 mm2)パッケージに搭載しています。 リード製品には、先進のOptiMOS 6 40 VおよびOptiMOS 5 100 Vシリコン 技術があり、コンパクトな実装面積で優れた性能を発揮。 2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、お客様は基板上の 電源部を少なくとも50％縮小することができます。 【主な特長】 ■高いチップ/パッケージ比 ■最適化されたリードフレームとCuクリップ設計 ■ローサイドとハイサイドを内部接続 ■両面放熱 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • パワーブロック パッケージのパワーMOSFET2.png
  • その他半導体

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パワーMOSFET OptiMOS 6 135 V

パワーMOSFET OptiMOS 6 135 V

Vgs(th)のばらつきを抑え、並列接続能力を向上させることにより、スケーリングが容易になり、電力出力が向上！

『OptiMOS 6 135 V』は、小型電気自動車(LEV)、電子フォークリフト、 電動工具、園芸工具などの高出力モーター制御アプリケーションや、 主に72 Vや84 Vのバッテリーを使用するUPSを対象にしています。 本製品ファミリーは、120 Vと150 VのMOSFET間のギャップを効果的に埋め、 低いRDS(on)で高性能を実現し、効率的な電力処理、電力損失の低減を 実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■Vgs(th)のばらつきが少ない ■きわめて低い逆回復電流(Qrr) ■幅広いパッケージラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

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パワーMOSFET OptiMOS 6 200 V

パワーMOSFET OptiMOS 6 200 V

ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせを実現！

新しい『OptiMOS 6 200 V MOSFET』は、インフィニオンの先進トレンチ MOSFET技術を代表する製品です。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減しています。ゲート閾値電圧の ばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、 並列接続に優れたデバイスです。 本製品は、穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、 出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、 様々な動作条件においてシステム効率を向上させます。 【主な特長】 ■RDS(on)を42％低減 ■3倍ソフトなダイオードで、キャパシタンス直線性も向上 ■Qrrが89％低減 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

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