更新日： 集計期間:2026年09月16日～2026年10月13日
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電動車・再エネ・データセンターで拡大するSiC市場
当社はビジネスセミナーを開催します。 【セミナーで得られる実務知見】 ・SiC市場の拡大構造と競争環境の整理 ・SiCパワーMOSFETおよびモジュールにおける技術革新の要点 ・富士電機におけるパワー半導体事業戦略と今後の展開 【対象業種・部門】 ・半導体メーカー 研究開発・事業企画部門 ・自動車・電機メーカーのパワーエレクトロニクス担当 ・エネルギー・再エネ関連企業の技術・企画部門 ・商社・投資部門の半導体・エネルギー分野担当 【セミナー詳細】 ■開催日時：2026年10月05日(月) 13:30 - 15:30(開場：13時) ■会場：JPIカンファレンススクエア ■住所：東京都港区南麻布5-2-32 興和広尾ビル ■受講方法：会場、ライブ配信、アーカイブ配信 ■講師：富士電機株式会社 半導体事業本部 フェロー（工学博士） 藤平 龍彦 氏 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高信頼性と低損失を実現した1200V耐圧SiC MOSFETディスクリート製品
・放熱性を兼ね揃えた絶縁型パッケージ(Rth(j-c)=0.22℃・w Typ) ・ソース端子のインダクタンスの影響を低減して、より高速なスイッチングと低損失を実現する4ピン構造を採用 ・業界トップクラスの低オン抵抗(15mΩ Typ Tj=150℃)
SiC・GaN・酸化ガリウム等、次世代デバイスの可能性と課題を徹底分析
当社はビジネスセミナーを開催します。 【セミナー詳細】 ■開催日時：2025年10月16日(木) 16:30 - 18:30(開場16時) ■会場：JPIカンファレンススクエア ■住所：東京都港区南麻布5-2-32 興和広尾ビル ■受講方法：会場、ライブ配信、アーカイブ配信 ■講師：株式会社富士経済 インダストリー＆マテリアル事業部 第二部 課長 三上 拓 氏 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
「Techno Block」シリーズ FCA300AD170
■小型かつ高信頼性 ■外付けFWD不要 ■高短絡耐量 ■高温時の低オン抵抗 ■高いノイズ耐性
注目が集まる ～SiCパワー半導体の動向と方向性 GaN、酸化ガリウムの現状等～
当社は、「”パワー半導体”市場の最新トレンドと将来展望」のセミナーを開催します。 主要各国でカーボンニュートラル実現に向けた取り組みが積極化している中で、パワー半導体が担う役割が大きくなっている。さらに、従来よりも高効率化を図ることができるSiCパワー半導体の開発・設備投資が旺盛になっており、今後大きな市場の伸びが期待される。本セミナーでは、パワー半導体市場の全体像、SiCパワー半導体の動向と方向性、さらにはGaNや酸化ガリウムの現状を詳説する。 【セミナー詳細】 ■開催日時：8月6日(火) 13:30 - 15:30(開場：13時) ■会場：JPIカンファレンススクエア ■住所：東京都港区南麻布5-2-32 興和広尾ビル ■受講方法：会場、ライブ配信 ■講師：株式会社富士経済 インダストリアルソリューション事業部 第一部 主任 三上 拓 氏 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です
『産業＆車載用 SiC MOSFETパワーディスクリート 750V』は、最高 クラスのシステム性能と信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 性能、信頼性、堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、 最高クラスの効率と電力密度を実現する簡素化されたコスト効率の高い システム設計を実現。 革新的な上面放熱パッケージは、当製品の強みをさらに強化し、 高密度化、最適化された電源ループ設計、システムおよびアセンブリ コストの削減を実現します。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低Crss/Cissと高Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
パッケージのスペースを最大限に有効活用できるため低いRDS(on)を実現
『FMG50AQ120N6』は、TO-247-4Lパッケージ(絶縁)のSiC MOSFETです。 両面はんだ接合による配線抵抗の低減と強固な接合を実現。 還流ダイオード(FWD)機能を内蔵しており、高いノイズ耐性がございます。 産業用インバーターや無停電電源装置(UPS)、各種スイッチング電源などに 好適です。ご要望の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■小型かつ高信頼性 ■外付けFWD不要 ■高短絡耐量 ■高温時の低オン抵抗 ■高いノイズ耐性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
矢野経済研究所のパワー半導体市場に関するマーケットレポートです。
カーボンニュートラルを実現する為に、パワー半導体はキーデバイスの１つであり、2030年に向けて高い成長が期待できる。産業、自動車分野は需要が逼迫しており、主要パワー半導体メーカによる設備増強も活発化している。 本資料において、パワー半導体の世界市場規模をデバイス/需要分野別に2030年まで予測し、特に2025年以降に需要が急拡大するEV向けSiCパワー半導体について整理分析する。 ■ポイント ●2030年に向けてカーボンニュートラルを軸にパワー半導体の需要拡大 ・世界パワー半導体市場をデバイス/需要分野別に推計（2020年/2021年） ・2030年までのパワー半導体の世界市場を予測（2023-2025年/2030年） ・主要パワー半導体メーカの事業戦略・製品概要・設備投資計画を整理分析 ・SiCパワー半導体の最新動向と可能性 ・xEV用パワー半導体の最新動向と可能性 ●前回版との違い：xEV用SiCパワーモジュールの世界市場規模を2030年まで数量/金額ベースで予測 発刊日：2023/02/28 体裁：A4 / 97頁 価格（税込）：176,000円（本体価格：160,000円）
SiからSiC・GaNへ移行する電力変換
当社はビジネスセミナーを開催します。 【セミナーで得られる実務知見】 ・SiC・GaN・酸化Ga・ダイヤモンドの使い分けと適用判断軸 ・電動車・電源機器における社会実装事例と性能・コストの現実解 ・高電圧・大電流対応と普及拡大を阻む技術・実装課題の突破口 【対象業種・部門】 ・パワー半導体・電力変換機器の開発・設計部門 ・EV・再エネ・電源機器を扱う製造業の技術企画部門 ・半導体材料・デバイス関連企業の事業開発部門 ・電力・インフラ関連企業の設備・技術戦略部門 【セミナー詳細】 ■開催日時：2026年08月20日(木) 13:30 - 15:30(開場：13時) ■会場：JPIカンファレンススクエア ■住所：東京都港区南麻布5-2-32 興和広尾ビル ■受講方法：会場、ライブ配信、アーカイブ配信 ■講師：国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO） 半導体・情報インフラ部 パワエレチーム 主査 博士（工学） プロジェクトマネージャー 山口 浩 氏 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
汎用の低耐圧から1500V高耐圧MOSFETなど豊富なラインナップ！ クロスリファレンス表を配布中！
POTENS(ポテンツ)は2012年に設立された台湾のFABレスパワー半導体メーカーです。 国内では車載関係で採用実績があるなど高品質な製品が幅広くラインアップしております。 今回は高耐圧600V～1500V製品まで、クロスリファレンスを作成しました。 是非、ダウンロードして頂き、新規・代替品検討、EOLのご相談や、セカンドソース準備、納期対策などにご活用ください。 クロスリファレンスへ掲載している製品以外にも下記の製品を取り揃えております。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に300品種以上を保有。 ＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIGBT、GaN、Super Junctionなど500品種以上を保有。SiC SBDも保有。 ＜1000V耐圧以上＞ SiCを中心に100品種以上を保有。 ＊クロスリファレンスは、下記「PDFダウンロード」よりご確認いただけます。 ＊サンプルをご希望の際は、お問合せ下さい。
「電源機器の寿命検証」や「DC-DCコンバータ設計 電源設計時の着眼点」など当社技術のノウハウが満載！
当資料は、技術者不足を解決する「開発設計促進業」である 株式会社Wave Technologyの2017年度～2019年度までの WTIブログ、電源・パワエレ編についてまとめています。 「CMOS[低耐圧MOSFET]とパワー半導体との違い」をはじめ、 「電源機器の寿命検証」や「SiCデバイスを使って電源を 効率化してみました」などを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容（抜粋）】 ■2017.5.16 技術者は原理原則の理解が大事なんです！ ■2017.9.5 太陽光発電システムの縁の下の力持ち～パワコンとは～ ■2017.9.19 CMOS[低耐圧MOSFET]とパワー半導体との違い ■2017.12.5 自動車の電気化を支える機器の開発 ■2018.3.13 回路図には登場しないインダクタンスに注意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電動車向けパワー半導体製造で躍進目覚ましい
当社は、「富士電機（株）の”パワー半導体”事業戦略と今後の展開」のセミナーを開催します。 炭素中立を目指す世界的な再エネ化・省エネ化、電化・電動化の潮流の中で、富士電機は近年電動車向けおよび再エネ・省エネ向けパワー半導体に力を入れ伸長させてきている。欧米日を主とした世界の強豪がひしめき、中国メーカーも勢力を伸ばしてきているパワー半導体市場の中で、特に電動車向けパワー半導体を伸長させてきた富士電機のパワー半導体の事業戦略と今後の展開について、現在の主力パワー半導体であるIGBTと今後の成長が期待されるSiC MOSFETの市場動向と技術動向を含めて詳説する。 【セミナー詳細】 ■開催日時：2024年11月25日(月) 13:30 - 15:30(開場13時) ■会場：JPIカンファレンススクエア ■住所：東京都港区南麻布5-2-32 興和広尾ビル ■受講方法：会場、ライブ配信、アーカイブ配信 ■講師：富士電機株式会社 半導体事業本部 フェロー（工学博士） 藤平 龍彦 氏 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
部品点数の削減、システムコストパフォーマンスを最大化！きわめて高い信頼性
TOLTパッケージの『CoolSiC Generation2 650V』は、最高クラスの スイッチング性能を活かし、さらに上面放熱の様々な利点も備えている MOSFETパワー半導体です。 今回、CoolSiCおよびCoolMOSですでに利用可能なQDPAKを加えて、完全な ディスクリート上面放熱ソリューションが実装可能になったことにより、 さらに優れた放熱性を備え、システムコストの削減と簡素化、 アセンブリコストの低減を実現します。 【主な特長】 ■優れた性能指数(FOM) ■高い堅牢性と総合的な品質 ■広い駆動電圧範囲 ■ユニポーラ駆動に対応 VGS(off)＝0 ■すべての8x8FET製品とピン互換 ■.XT相互接合技術によるパッケージの改善 ■熱サイクル(TCoB)4倍向上 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低耐圧FETから、高耐圧(1500V)まで各種製品を揃えています。 高耐圧FET製品のクロスリファレンス配布しています。
Potens(ポテンツ)は、2012年9月に設立された台湾FABレスメーカーです。 汎用の低耐圧から1000V以上の高耐圧まで幅広いラインアップがあり、 SiCや話題のGaNなどライアップ拡充しており、他社相当品も豊富！ パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に、300品種以上を保有。 ＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIGBT、GaN、Super Junctionなど500品種以上を保有。SiC SBDも保有。 ＜1000V耐圧以上＞ SiCを中心に100品種以上を保有。 国内外メーカーの代替品となる製品もございますので、 EOL等での置き換えが必要な際には、ぜひお問い合わせください。
汎用の低耐圧から1000V以上の高耐圧まで幅広いラインアップ！SiCや話題のGaNなどライアップ拡充中！他社相当品も豊富！
Potens(ポテンツ)は2012年9月に設立された台湾のFABレスメーカーです。 パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に、300品種以上を保有。 ＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIGBT、GaN、Super Junctionなど500品種以上を保有。SiC SBDも保有。 ＜1000V耐圧以上＞ SiCを中心に100品種以上を保有。 国内外メーカーの代替品となる製品もございますので、 EOL等での置き換えが必要な際には、ぜひお問い合わせください。
パワー半導体FET 低耐圧 MOSFET 高耐圧 SJ MOSFET 添付資料をダウンロード！お気軽にお問い合わせく下さい！
ポテンツセミコンダクター社は2012年9月台湾にて設立した会社です。 パワー半導体を中心に製品展開を行っています。 新規設計や、代替え品として、検討ください。 国内外メーカーの代替品となる製品もございますので、EOL等での置き換えが必要な際には、ぜひお問い合わせください。 技術サポートの特色として、20年以上の半導体開発経験を持つ半導体開発チームと 電源メーカで設計技術を蓄積してきたメンバーで構成した応用技術チームが連携し、 お客様が採用する過程で発生しうる技術的な課題（回路構成、効率、ノイズ、発熱等）に対してもお客様と一緒に解決してまいります。 また低耐圧製品から高耐圧製品（600V - 1500V)まで幅広いラインナップを取り揃えています。 製品ラインナップ製品は、 低耐圧から高耐圧品まで用意しています。 ・MOSFET ・IGBT ・Super Junction ・SiC ・Gan ◇カスタム設計対応 お客様のご要望に合せ回路/レイアウト設計サービスを提供出来ます。 是非、お問い合わせください。
『無料サンプル』進呈中！【PDFダウンロード】ボタンからお申し込み方法をご確認いただくか、関連リンクから直接お申し込みください。
自動車の電動化とクリーンエネルギーの目標は、パワー半導体市場の成長を加速させています。国際エネルギー機関（IEA）によると、2030年までに2億5,000万台以上の電気自動車が走行するようになり、効率的なエネルギー管理とモーター制御システム用のパワー半導体の需要を促進しています。さらに、二酸化炭素排出削減とクリーンエネルギー生産を促進する政府の政策は、持続可能な輸送とエネルギーシステムへの移行をサポートするために、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）のような高度なパワー半導体技術の需要をさらに押し上げます。このような要因の収束は、自動車の電動化とクリーンエネルギー導入の目標実現におけるパワー半導体の極めて重要な役割を強調しています。
MOSFET、IGBT、FRDチップの自社設計～製造を行う韓国・マグナチップ社をご紹介
当社では、『韓国・マグナチップ社製品の販売』を行っております。 マグナチップ社は、ANALOG-MIXED SIGNAL向けファンドリービジネスを はじめ、DISPLAY用ドライバ－ビジネス、POWER SOLUTIONSビジネスの 3つの事業部にて事業を展開している半導体メーカーです。 MOSFET、IGBT、FRDチップは全て自社設計、自社製造です。 【主な製品】 ■LED driver IC ■DC-DC converter IC ■AC-DC converter IC ■VCM driver IC ■Analog Switch IC ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
