アークフィラメント式イオンプレーティング装置
緻密な酸化膜厚膜（～１０μｍ）を高速形成。新開発イオン化機構搭載 ＣＶＤ代替高密度イオンプレーティング装置
緻密で耐プラズマ性の高いイットリア膜やＳｉＣ膜を高速形成。 高密度プラズマによる反応性プロセスによりCVDより低温で溶射法より緻密な膜質を実現。 半導体関連部品にも応用可能なクリーンな成膜プロセスを実現。 PVD法のため装置のメンテナンスも容易で低コスト。 絶縁膜（酸化膜・炭化膜）を高速形成。緻密な厚膜を高速形成。従来型のイオンプレーティング法の弱点を克服。 新たな表面機能を生み出す用途創成型最新ＰＶＤ装置
- 企業：神港精機株式会社 東京支店
- 価格：応相談
