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最先端のフォトダイオードと低ノイズ・カレントアンプの技術を組合わせた、大口径の400kHzフォトレシーバ
■使用しているフォトダイオードはSi製またはInGaAs製で、波長域はそれぞれ400～1050nm、900～1700nm ■トランスインピーダンスは107V/Aで、最大変換利得はInGaAsモデルで9.5×106V/W @1550nm ■最小NEPは約75fW/Hzで、ナノワットレンジの光シグナルが余計な平均化をすることなく測定できる
最先端のフォトダイオードとFemto社製GHzアンプの技術を組合わせた高性能な2GHzフォトレシーバ
■ダイオードタイプはSi製／InGaAs製で、波長域はそれぞれ320～1000nm／850～1700nm ■Si製モデルのHSA-X-S-1G4-SIは、ディテクタチップの前面にボールレンジを配置し、活性領域直径は0.8mm ■トランスインピーダンスは5×103V/A ■最小NEPはわずか14pW/vHzで、μWレンジの光パワーレベルでも測定可能
高速フォトダイオードとFemto社製高速カレントアンプの技術を組合わせた200MHzフォトレシーバ
■ダイオードタイプはSi製／InGaAs製の二種類で、波長域はそれぞれ320～1000nm／900～1700nm ■トランスインピーダンスは2×104V/Aで、最大変換利得はInGaAsモデルで1550nmで2×104V/W ■洗練されたDCカップルマルチステージアンプ設計により、最小立上り時間1.8nsに相当するバンド幅DC～200MHzの測定が可能 ■最小NEP値は約6pW/vHzで、μWレンジの光パワーシグナルも余計な平均化を行うことなく検出できる
高速フォトダイオードとFemto社製高速カレントアンプの技術を組合わせた400MHzフォトレシーバ
■ダイオードタイプはSi製／InGaAs製の二種類で、波長域はそれぞれ320～1000nm／900～1700nm ■トランスインピーダンスは5×103V/Aで、最大変換利得はInGaAsモデル1550nmで5×103V/W ■洗練されたDCカップルマルチステージアンプ設計により、最小立上り時間1nsに相当するバンド幅DC～400MHzの測定が可能 ■低ノイズのため、数μWの光でも平均化を行わずに測定することができる ■入力はフリースペースまたはファイバカップル
