最先端のフォトダイオードとFemto社製GHzアンプの技術を組合わせた高性能な2GHzフォトレシーバ
■ダイオードタイプはSi製／InGaAs製で、波長域はそれぞれ320～1000nm／850～1700nm ■Si製モデルのHSA-X-S-1G4-SIは、ディテクタチップの前面にボールレンジを配置し、活性領域直径は0.8mm ■トランスインピーダンスは5×103V/A ■最小NEPはわずか14pW/vHzで、μWレンジの光パワーレベルでも測定可能
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基本情報
■HSA-X-S／HSPR-X-Iシリーズ ■波長範囲：320～1700nm ■バンド幅：10kHz～2GHz ■最大変換ゲイン：4.5×103V/W ■最小：NEP約14pW/vHz
価格帯
10万円 ~ 50万円
納期
~ 1ヶ月
用途／実績例
■分光 ■高速パルス・トランジェント測定 ■光トリガリング ■オシロスコープ・A/Dコンバーター用光フロントエンド
カタログ（11）
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企業情報
■バーコード関連の新製品 ■レーザダイオード関連 ■光ファイバコネクタ加工を請け賜ります。 ※通信用から大口径まで短納期随時受付中！ ■超安定化LDモジュール・光源装置製作 ■各種半導体レーザの輸入販売 ■光変調器及び光周辺部品の輸入販売 ■その他、理化学機器・部品の輸入販売
