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計算の精度が高い！装置内のプラズマ密度が、比較的低い場合のプラズマ解析を得意とするモジュール
『プラズマPICモンテカルロ衝突モジュール（PIC-MCCM）』は、プラズマ CVD装置、プラズマエッチング装置、スパッタリング装置、機能性薄膜の 製造装置といった装置内の、非平衡低温プラズマの挙動を解析ができる モジュールです。 装置内のプラズマ密度が、比較的低い（10^16[#/m3]；10^10[#/cc]程度以下） 場合のプラズマ解析を得意としており、電磁場中での電子ビーム、イオン ビームの軌道解析などといった荷電粒子挙動解析も可能です。 【特長】 ■物理モデルが比較的簡単である ■シミュレーションの際に持ち込まれている物理モデルの仮定や近似が少ない ■計算の精度が高い ■SMCMとのカップリングにより、バッファガス・ラジカル種の影響も 考慮にいれた連成シミュレーションを行うことが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Particle-PLUS解析事例紹介 "対面ターゲットを用いたAl薄膜作製"シミュレーション事例
『Particle-PLUS』は プラズマを用いた装置・材料・デバイス研究・開発・製造に適した シミュレーションソフトウェアです。 ・低圧プラズマ解析を得意とします ・軸対称モデルと鏡面対称境界条件を組み合わせで 装置全体のシミュレーションを行う必要なく、 高速に結果を得ることができます。 ・流体モデルでの計算が難しい低圧ガスでのプラズマシミュレーションを得意とします ・2D(2次元),3D(3次元)対応し、複雑なモデルでも効率良く解析できます ・自社開発ソフトの強みとして お客様の装置に合わせたカスタマイズも可能です ◆さまざまな事例に対応◆ ・マグネトロンスパッタ ・PVD、プラズマCVD ・容量結合プラズマ (CCP) ・誘電体バリア放電 (DBD) ・電気泳動 など ◆さまざまな計算結果を出力◆ ・ポテンシャル分布 ・電子・イオンの密度分布/温度分布/発生分布 ・壁への粒子フラックスとエネルギーフラックス ・壁への電子・イオンのエネルギースペクトル ・中性ガスの密度分布/温度分布/速度分布 など ※詳しくはお気軽にお問い合わせ下さい。
