計算の精度が高い！装置内のプラズマ密度が、比較的低い場合のプラズマ解析を得意とするモジュール
『プラズマPICモンテカルロ衝突モジュール（PIC-MCCM）』は、プラズマ CVD装置、プラズマエッチング装置、スパッタリング装置、機能性薄膜の 製造装置といった装置内の、非平衡低温プラズマの挙動を解析ができる モジュールです。 装置内のプラズマ密度が、比較的低い（10^16[#/m3]；10^10[#/cc]程度以下） 場合のプラズマ解析を得意としており、電磁場中での電子ビーム、イオン ビームの軌道解析などといった荷電粒子挙動解析も可能です。 【特長】 ■物理モデルが比較的簡単である ■シミュレーションの際に持ち込まれている物理モデルの仮定や近似が少ない ■計算の精度が高い ■SMCMとのカップリングにより、バッファガス・ラジカル種の影響も 考慮にいれた連成シミュレーションを行うことが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【機能一覧（一部）】 ■応用分野：非平衡低温プラズマ（プラズマCVD 装置、プラズマエッチング装置、スパッタリング装置、 機能性薄膜の製造装置）、イオンビームや電子ビームの軌道解析 ■モデリング手法：粒子法 ■解析手法：Particle-In-Cell Monte Carlo Collision（PIC-MCC）法 ■対象次元：2次元（デカルト座標系、軸対称座標系） ■ソルバー：ドライバー PIC-MCCM／モジュール PEM、ECSDB、EMM ■座標系：デカルト（xy直交）座標系／円筒（rz直交）座標系 ■メッシュ形状：直交メッシュ（可変ピッチ可能） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
真空／プラズマ／希薄気体及び、気体エレクトロニクス分野における物理現象を解析するソフトを自社開発／販売を志して独立した企業です。私どもでは創造力、開発力、技術力そして競争力を企業精神としております。