プラズマPICモンテカルロ衝突モジュール（PIC-MCCM）
計算の精度が高い！装置内のプラズマ密度が、比較的低い場合のプラズマ解析を得意とするモジュール
『プラズマPICモンテカルロ衝突モジュール（PIC-MCCM）』は、プラズマ CVD装置、プラズマエッチング装置、スパッタリング装置、機能性薄膜の 製造装置といった装置内の、非平衡低温プラズマの挙動を解析ができる モジュールです。 装置内のプラズマ密度が、比較的低い（10^16[#/m3]；10^10[#/cc]程度以下） 場合のプラズマ解析を得意としており、電磁場中での電子ビーム、イオン ビームの軌道解析などといった荷電粒子挙動解析も可能です。 【特長】 ■物理モデルが比較的簡単である ■シミュレーションの際に持ち込まれている物理モデルの仮定や近似が少ない ■計算の精度が高い ■SMCMとのカップリングにより、バッファガス・ラジカル種の影響も 考慮にいれた連成シミュレーションを行うことが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：ペガサスソフトウェア株式会社
- 価格：応相談
