ミュート用トランジスタ
低Ron、高VEBOであり音声ミュート用トランジスタとして最適!
●コレクタ・エミッタ間飽和電圧が小さく、音声ミュート 用として最適です。 ●VEBOが高く逆流防止用ダイオードが不要です。 ●逆方向hFEが高く、負側の信号の音声ミュートも可能です。 ●小型面実装パッケージに加え、抵抗内蔵タイプ、複合タイプ (2個入り)、バッファーPNP複合タイプも取り揃えており、セット の小型化、高密度実装が可能です。
- 企業:イサハヤ電子株式会社
- 価格:応相談
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低Ron、高VEBOであり音声ミュート用トランジスタとして最適!
●コレクタ・エミッタ間飽和電圧が小さく、音声ミュート 用として最適です。 ●VEBOが高く逆流防止用ダイオードが不要です。 ●逆方向hFEが高く、負側の信号の音声ミュートも可能です。 ●小型面実装パッケージに加え、抵抗内蔵タイプ、複合タイプ (2個入り)、バッファーPNP複合タイプも取り揃えており、セット の小型化、高密度実装が可能です。