【分析事例】MRAMのFe/MgO/Fe接合系の理論計算
NEGF法を用いた第一原理計算によってFe/MgO/Fe接合系に対してTMR比やスピン・電荷の様子を評価！
弊団では、MRAMのトンネル磁気抵抗効果を示すFe/MgO/Fe接合系の 理論計算を行っております。 トンネル磁気抵抗効果(TMR)は薄い絶縁層を挟んでいる強磁性層の 磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、磁気抵抗メモリ (MRAM)などへの応用が進められています。 シミュレーションを用いることで、バイアス印加時の振舞いや界面における歪み、 酸素欠損などがTMRの物性に及ぼす影響についても評価可能です。 【測定法・加工法】 ■計算科学・AI・データ解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
