NEGF法を用いた第一原理計算によってFe/MgO/Fe接合系に対してTMR比やスピン・電荷の様子を評価！
弊団では、MRAMのトンネル磁気抵抗効果を示すFe/MgO/Fe接合系の 理論計算を行っております。 トンネル磁気抵抗効果(TMR)は薄い絶縁層を挟んでいる強磁性層の 磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、磁気抵抗メモリ (MRAM)などへの応用が進められています。 シミュレーションを用いることで、バイアス印加時の振舞いや界面における歪み、 酸素欠損などがTMRの物性に及ぼす影響についても評価可能です。 【測定法・加工法】 ■計算科学・AI・データ解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
この製品へのお問い合わせ
基本情報
【製品分野】 ■LSI・メモリ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
【分析目的】 ■構造評価 ■その他 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
カタログ（1）
カタログをまとめてダウンロード
企業情報
MSTは受託分析サービスをご提供する財団法人です。 TEM・SIMS・XRDなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 知識豊富な営業担当が、適切な分析プランをご提案。貴社に伺ってのご相談も、もちろん可能です。 ISO9001・ISO27001取得。 製品開発・不良原因の解明・特許調査はぜひご相談ください！ MSTは、あなたの「困った！」を解決へと導きます。
