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ICP-MS、 GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析
半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。 測定法：ICP-MS・GDMS 製品分野：パワーデバイス・製造装置・部品 分析目的：微量濃度評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
0201サイズチップを半導体基板に内蔵する当社の技術で、ものづくりサービスの可能性を広げます。
JOHNAN DMS株式会社は、台豐印刷電路工業股份有限公司と共同開発を行い、「0201サイズチップ コンデンサ内蔵半導体基板」の開発を行っております。 この技術を用いて、0201部品を内蔵したPCB及び半導体サブストレートの製作など、様々なサービスを提供します。 近年ニーズが増えつつある、製品の高密度実装、小型化や、大容量データの高速伝送のEMCソリューションなど、未来を見据えたサービスの課題解決に貢献致します。 「大容量データの高速伝送で、EMCが悪化して動作が不安定になる」などの課題でお悩みの方は、ぜひ一度お問い合わせください。 詳しくは、関連リンクをご覧ください。
物性定数の相違に起因した反りが両面間で相殺！反りの小さい半導体基板の製造が可能！
GaN基板の反りの問題が、低歩留まりによる高コスト化、及び低結晶品質、 小面積の低品質を招き、その結果、GaN基板の普及を妨げる最大の要因と なっています。 当発明は、気相成長法により反りの小さい半導体基板を製造することを 課題としたものです。 ベース基板の両面に、交互に半導体を気相成長法により結晶成長させるので、 ベース基板及び半導体の熱膨張係数等の物性定数の相違に起因した反りが両面間で 相殺され、その結果、反りの小さい半導体基板を製造することが可能です。 【解決ポイント】 ■ベース基板に半導体を気相成長法により結晶成長させて半導体基板を製造 ■ベース基板の一方の主面に原料ガスを接触させてベース基板上に半導体を 結晶成長させる一の工程 ■ベース基板の他方の主面に原料ガスを接触させてベース基板上に半導体を 結晶成長させる他の工程 ■一の工程と他の工程とを交互に行う ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
