物性定数の相違に起因した反りが両面間で相殺！反りの小さい半導体基板の製造が可能！
GaN基板の反りの問題が、低歩留まりによる高コスト化、及び低結晶品質、 小面積の低品質を招き、その結果、GaN基板の普及を妨げる最大の要因と なっています。 当発明は、気相成長法により反りの小さい半導体基板を製造することを 課題としたものです。 ベース基板の両面に、交互に半導体を気相成長法により結晶成長させるので、 ベース基板及び半導体の熱膨張係数等の物性定数の相違に起因した反りが両面間で 相殺され、その結果、反りの小さい半導体基板を製造することが可能です。 【解決ポイント】 ■ベース基板に半導体を気相成長法により結晶成長させて半導体基板を製造 ■ベース基板の一方の主面に原料ガスを接触させてベース基板上に半導体を 結晶成長させる一の工程 ■ベース基板の他方の主面に原料ガスを接触させてベース基板上に半導体を 結晶成長させる他の工程 ■一の工程と他の工程とを交互に行う ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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【用途】 ■半導体基板及びその製造方法、これに用いる気相成長装置に有用 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
有限会社山口ティー・エル・オーは大学等技術移転促進法に基づき、文部科学省、経済産業省により承認されたTLOで、法人化前の平成11年11月に山口大学の教員50名の出資（資本金400万円）により設立された、リエゾン（人と人との橋渡し）一体型の技術移転組織です。 大学での研究成果を技術移転等の形で社会に還元します。 また、会員企業を募って発明情報などを優先的に開示し、これらを通して地域経済への発展にも貢献すべく活動しています。
