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カーボンナノチューブ成長装置（KCNT）
●特徴 カーボンナノチューブは、その外径と構造の違いから多くの種類が有り、いずれも炭素原子６個が強固に結合した炭素鋼から出来ています。その特殊な構造から下記のような性質を持っています。 ・導電性に優れている。 ・熱伝導性に優れている。 ・機械的特性に優れている。 本装置は、電気炉を用いて石英管中の基板を900℃まで加熱し、エタノールガスを導入しカーボンナノチューブを成長する為の装置です。
熱分解グラフェン成長に適したsic基板加熱機構を装備
sic表面熱分解法 エピタキシャルグラフェン結晶成長装置の設計開発コンセプトは、グラフェン成長装置の小型化と簡易化。高結晶品質化・成長再現性、表面分析機器の増設・連結性と設備投資しやすい経済性です。回折パターンよりグラフェンの形成を確認。グラフェン／バッファー層が形成されています。ストリークはファセット上のグラフェンの1次元的な構造によるものと考えています。約250nm幅のテラス（0001）上にグラフェンが均一に形成され周期構造はオフ基板特有のステップパンチングの結果です。顕微Raman測定でもグラフェンの形成を確認しました。サンプル表面の光学顕微鏡像に示すテラス（赤）及びファセット（青）のRamanスペクトルを示しています。典型的なグラフェンスペクトルであり．2Dの半値幅から1層グラフェンであることが確認されまた、Dバンドはファセットにおいて大きくグラフェンの1次元構造を反映した結果であると思われます。マッピングにおいてもその様子がはっきりと観察されました。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
物性定数の相違に起因した反りが両面間で相殺！反りの小さい半導体基板の製造が可能！
GaN基板の反りの問題が、低歩留まりによる高コスト化、及び低結晶品質、 小面積の低品質を招き、その結果、GaN基板の普及を妨げる最大の要因と なっています。 当発明は、気相成長法により反りの小さい半導体基板を製造することを 課題としたものです。 ベース基板の両面に、交互に半導体を気相成長法により結晶成長させるので、 ベース基板及び半導体の熱膨張係数等の物性定数の相違に起因した反りが両面間で 相殺され、その結果、反りの小さい半導体基板を製造することが可能です。 【解決ポイント】 ■ベース基板に半導体を気相成長法により結晶成長させて半導体基板を製造 ■ベース基板の一方の主面に原料ガスを接触させてベース基板上に半導体を 結晶成長させる一の工程 ■ベース基板の他方の主面に原料ガスを接触させてベース基板上に半導体を 結晶成長させる他の工程 ■一の工程と他の工程とを交互に行う ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
本レポートは炭化珪素エピタキシャル成長装置市場の中長期的な成長動向を定量分析および定性分析の両面から体系的に整理しています。
当資料では、炭化珪素エピタキシャル成長装置の世界総市場規模について、 ご説明しております。 炭化珪素エピタキシャル成長装置の概要をはじめ、製品タイプ別分析、用途別分析、 企業別分析、地域別分析、技術革新と市場の未来展望などについて解説。 当社は、東京を拠点に世界各地の産業情報を統合し、企業の意思決定を 支援するレポートを提供しています。 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
