SiC半導体製造用機能部品
2000℃以上のSiCプロセスに対応可能な単結晶成長およびCVD用部品。高温でのスパッタやイオン注入に対応する静電チャック。
Momentiveの『タンタルカーバイドコーティング』は、SiC単結晶成長炉、エピタキシャル装置の部品として多くの実績を有しており、『静電チャック』はSiやSiC半導体プロセスの高温イオン注入、スパッタリング工程で使用されています。 【特長】 ■タンタルカーバイド ・超高温（2000℃以上）での使用が可能 ・複雑な形状にも対応できる優れた被覆性 ■静電チャック ・1000℃までのプロセスに対応 ・仕様に応じての設計の自由度が高い ※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
- 企業：モメンティブ・テクノロジーズ・ジャパン株式会社
- 価格：応相談
