2000℃以上のSiCプロセスに対応可能な単結晶成長およびCVD用部品。高温でのスパッタやイオン注入に対応する静電チャック。
Momentiveの『タンタルカーバイドコーティング』は、SiC単結晶成長炉、エピタキシャル装置の部品として多くの実績を有しており、『静電チャック』はSiやSiC半導体プロセスの高温イオン注入、スパッタリング工程で使用されています。 【特長】 ■タンタルカーバイド ・超高温（2000℃以上）での使用が可能 ・複雑な形状にも対応できる優れた被覆性 ■静電チャック ・1000℃までのプロセスに対応 ・仕様に応じての設計の自由度が高い ※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
この製品へのお問い合わせ
基本情報
※詳しくはお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
■タンタルカーバイドコーティング SiC単結晶成長炉、エピタキシャル(CVD)装置の部品として多くの実績有 ■静電チャック SiやSiC半導体プロセスの高温イオン注入、スパッタリング工程で実績有
カタログ（3）
カタログをまとめてダウンロード
企業情報
モメンティブ・テクノロジーズ・ジャパン株式会社は、高熱伝導ヒートシンク、ヒータ/静電チャック、セラミックス製品、耐腐食/耐熱コーティングの開発、製造、販売を行っています。また、石英製品やシリコーン製品なども多数取り扱っております。ご用命の際には、お気軽にお問い合わせ下さい。