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半導体、MEMS、電子部品等に！単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで高速かつ安定した連続成膜が可能！
『圧電膜形成スパッタリング装置』は、単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで連続成膜することが可能な製品です。 プラズマエミッションモニターによるプラズマ分析とフィードバック制御により、高速かつ安定したリアクティブスパッタ成膜、圧電特性低下に寄与する元素検知も可能です。 当社独自の急速昇降温基板加熱機構を搭載しており、基板温度900℃を実現します。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体、MEMS、電子部品等に！単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで高速かつ安定した連続成膜が可能！
『圧電膜形成スパッタリング装置』は、プラズマエミッションモニター搭載により 圧電特性低下に寄与する元素検知可能な製品です。 単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで連続成膜することができます。 また発光分析システムによるプラズマ分析とフィードバック制御により、 高速かつ安定したリアクティブスパッタ成膜が可能。 当社独自の急速昇降温基板加熱機構を搭載しており、基板温度900℃を実現します。 【特長】 ■圧電に寄与する軸長を最大限に長くするDeposition構造 ■当社独自のスパッタカソードを搭載 ■ムービングマグネットにも対応し全面エロージョンが可能 ■トレイ搬送も対応可 ■CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
