半導体、MEMS、電子部品等に！単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで高速かつ安定した連続成膜が可能！
『圧電膜形成スパッタリング装置』は、単結晶エピタキシャルバッファ層から圧電膜まで連続成膜することが可能な製品です。 プラズマエミッションモニターによるプラズマ分析とフィードバック制御により、高速かつ安定したリアクティブスパッタ成膜、圧電特性低下に寄与する元素検知も可能です。 当社独自の急速昇降温基板加熱機構を搭載しており、基板温度900℃を実現します。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【特長】 ■圧電に寄与する軸長を最大限に長くするDeposition構造 ■当社独自のスパッタカソードを搭載 ■ムービングマグネットにも対応し全面エロージョンが可能 ■トレイ搬送も対応可 ■CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可 その他ウェットプロセス装置、真空プロセス装置も取り扱いしておりますので、ご覧ください。 「酸化膜／窒化膜プラズマCVD装置」 ■2周波独立印可方式により、低応力、高硬度、高絶縁性を実現 ■優れた膜厚分布および再現性を実現 「カーボンナノチューブ合成装置」 ■全自動でCNT合成が可能 ■優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現 ■基板プラズマクリーニングシステム搭載 ■優れた膜厚分布および再現性を実現 ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
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企業情報
ジャパンクリエイトは、多様化する半導体産業に高精度化・省力化・微細化に対応すべく最先端技術にチャレンジして参りました。 私たちは、ハイテクノロジーに無限の可能性を求めて、ユーザーのニーズにマッチした確かなノウハウを独自性で創造します。 自らハイレベルな技術を目指して歩み続けます。