放射光HAXPESによる埋もれた界面の評価
検出深さが大きくなり、より深い領域の評価が可能になります！
当社で行う「放射光HAXPESによる埋もれた界面の評価」について ご紹介します。 X線光電子分光(XPS)は、表面の組成・状態分析が可能であり、 表面分析では不可欠な手法。 ラボ型XPS(Al Kα：1.5keV)では、3nm程度の極表面の評価に限られますが、 外部施設を利用した硬X線光電子分光(HAXPES)：8keVにより、多層構造や 実デバイスに近いスタック構造の埋もれた界面など、より深い領域の評価が 可能となります。 【特長】 ■通常のXPSに比べて検出深さが大きい ■深いエネルギー準位からの光電子を測定 ■同時に発生するオージェ電子などの重なりがなくなるため、状態分析が容易 ■第三世代の放射光施設(SPring-8)を高輝度X線源として利用可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- Company：東芝ナノアナリシス株式会社
- Price：応相談
