【ホットステージ】超高温基板加熱ステージ Max1800℃
基板上下昇降・回転、RF/DC基板バイアスの機能を備える超高温基板加熱ステージ Max1800℃
半導体、電子基板、真空薄膜プロセス装置・研究開発用【超高温基板加熱機構】 対応基板サイズ:Φ2〜6inch 真空(UHV対応可能)・不活性ガス・O2・各種プロセス反応性ガス雰囲気等でご仕様いただけます。(詳細別途協議)
- 企業:テルモセラ・ジャパン株式会社 本社
- 価格:応相談
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基板上下昇降・回転、RF/DC基板バイアスの機能を備える超高温基板加熱ステージ Max1800℃
半導体、電子基板、真空薄膜プロセス装置・研究開発用【超高温基板加熱機構】 対応基板サイズ:Φ2〜6inch 真空(UHV対応可能)・不活性ガス・O2・各種プロセス反応性ガス雰囲気等でご仕様いただけます。(詳細別途協議)