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分析・解析技術をどのような観点から進めるべきかをご紹介！
当社では、電子部品ばかりではなく無機・有機素材をはじめ、多くの製品、 部品、素材を故障・不良解析、構造解析、良品解析、信頼性評価といった面で お客様の課題・問題解決に向けてサポートしています。 当資料は、分析・解析技術をどのような観点から進めるべきかをご紹介。 お客様にとっても問題解決の端緒と紐解きの一助となれば幸いです。 【掲載内容】 ■はじめに ■接合のイメージと当社の評価・解析技術の位置付け ■不具合要因 ■手法 ■終わりに ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用！IR-OBIRCHで故障箇所を特定
当社で行った「静電気破壊」の故障解析をご紹介いたします。 破壊したサンプルの外観観察、及び非破壊検査においては異常は確認 されず、このことから、故障規模が微小であることを推察。レーザーと 薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を行うことで 微小な故障箇所を絞り込みました。 アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、プラズマFIB装置を 用いてSiCチップの断面図を解析した結果、故障したセルのトレンチゲート 左側の酸化膜が破壊している様子が確認されました。 【概要】 ■故障箇所特定 ・レーザーと薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を 行うことで微小な故障箇所を絞り込んだ ■故障箇所の詳細解析 ・アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、プラズマFIB装置を 用いてSiCチップの断面図を解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
