SiC MOSFET構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート
東芝デバイス&ストレージ SiC MOSFET(TW070J120B)について解析！
当社では、『東芝デバイス&ストレージ SiC MOSFET(TW070J120B) 構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート』をご提供しております。 プロセス・デバイス特性解析レポートでは、構造解析結果に基づき、 製造プロセスフローの推定、フォト/マスキングのプロセス工程数の見積、 N-エピ層(ドリフト層)のドーピング濃度分析、オン抵抗解析やブレークダウン 電圧の解析を行っています。 【解析のポイント】 ■構造解析レポート ・SiC-MOSFETの平面レイアウトおよび断面構造を明らかにしている ・本製品の特長であるSBD領域についての断面構造とSBDメタルのEDX分析を実施 ■プロセス・デバイス特性解析レポート ・Schottkyダイオード特性の測定を行い、他社SiC-MOSFET製品の 内蔵Bodyダイオード特性と比較している など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：株式会社エルテック
- 価格：応相談
