東芝デバイス&ストレージ SiC MOSFET(TW070J120B)について解析！
当社では、『東芝デバイス&ストレージ SiC MOSFET(TW070J120B) 構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート』をご提供しております。 プロセス・デバイス特性解析レポートでは、構造解析結果に基づき、 製造プロセスフローの推定、フォト/マスキングのプロセス工程数の見積、 N-エピ層(ドリフト層)のドーピング濃度分析、オン抵抗解析やブレークダウン 電圧の解析を行っています。 【解析のポイント】 ■構造解析レポート ・SiC-MOSFETの平面レイアウトおよび断面構造を明らかにしている ・本製品の特長であるSBD領域についての断面構造とSBDメタルのEDX分析を実施 ■プロセス・デバイス特性解析レポート ・Schottkyダイオード特性の測定を行い、他社SiC-MOSFET製品の 内蔵Bodyダイオード特性と比較している など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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基本情報
【目次】 ■SiC-MOSFET構造解析レポート 1．デバイスサマリー 2．パッケージ解析 3．SiC MOSFET構造解析 4．SiC MOSFET EDX分析 ■SiC-MOSFETプロセス、デバイス特性解析レポート 1．TOSHIBA 1200V SiC MOSFET TW070J120Bエグゼクティブサマリー 2．TOSHIBA 1200V SiC MOSFET TW070J120B解析結果まとめ 3．製造プロセスフロー解析 4．電気特性評価 5．関連文献目録 6．関連特許目録 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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当社は、1988年から長年に渡って培ってきた半導体をベースにした解析技術と、特許などの知的財産(IP)の調査/解析に関する長年の経験との双方を駆使して、お客様のご要求に応じた技術情報（レポート）を提供することを主要業務とした技術サービス会社です。