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SEM観察を行いながら検出深さの浅い元素分析が可能
金属表面の変色や異物の簡便的な調査にはSEM-EDX分析やAES分析が適していますが、変色や異物が薄い・小さい場合は、表面のごく浅い領域（4～5nm程度）の情報が得られるAES分析が有効です。 MST保有のAES装置はSEM像を取得できるため、SEM像で着目箇所の確認をしながらAES分析を行うことが可能です。本事例では、Cu表面に存在する変色部をAES分析とSEM-EDX分析で評価し、比較したデータをご紹介します。また、AES深さ方向分析を行った結果を併せてご紹介します。
絶縁物の測定が可能！金属・半導体・高分子等さまざまな材料の研究開発や不良解析に利用されています
「X線光電子分光法」は、試料表面の元素分析・化学状態分析を行う手法です。 絶縁物の測定が可能なため、金属・半導体・高分子・セラミック・ ガラス等さまざまな材料に適用可能。 表面分析の中でも多用されている手法の一つであり、材料の研究開発や 不良解析に利用されています。 【分析項目】 ■表面の組成分析（定性・定量）：ワイドスキャン、ナロースキャン ■化学シフトによる結合状態評価：ナロースキャン、波形分離 ■イオンスパッタを使用した深さ方向の組成分析：デプスプロファイル ■X線を走査することにより面分析（マッピング）や線分析も可能 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
絶縁物の測定が可能！セラミック・ガラス等さまざまな材料に適用できます
「X線光電子分光法」は、試料表面(最表面～数nmの深さ)の 元素分析・化学状態分析を行う手法です。 絶縁物の測定が可能なため、金属・半導体・高分子・セラミック・ガラス等 さまざまな材料に適用可能。 表面分析の中でも多用されている手法の一つであり、材料の研究開発や 不良解析に利用されています。 【分析項目】 ■表面の組成分析(定性・定量)：ワイドスキャン、ナロースキャン ■化学シフトによる結合状態評価：ナロースキャン、波形分離 ■イオンスパッタを使用した深さ方向の組成分析：デプスプロファイル ■X線を走査することにより面分析(マッピング)や線分析も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
