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【半導体製造装置向け】3DプリンティングSiC

想像力が形になる、シリコンカーバイドの新たな可能性

半導体製造装置の分野では、高温環境下での安定した性能を発揮する部品が求められます。特に、精密なプロセスにおいては、高い耐熱性と寸法安定性が不可欠です。従来の製造方法では、複雑な形状や大型部品の一体成形に制約がありましたが、当社の3DプリンティングSiCは、これらの課題を解決します。 シリコンカーバイド『IntrinSiC（R）』は、シリコン浸透・反応結合シリコンカーバイド（RBSiC）で作成される大型で複雑な一体型構成部材の生産に向けた優れたイノベーションです。RBSiCの優れた材料特性と３Dプリンティングによるプロセス特有の利点を合わせることで、リングラフィや計測、そして熱処理技術の市場に新たな構造デザインの可能性を提供します。 【活用シーン】 ■ 高温プロセスチャンバー部品 ■ 真空搬送装置部品 ■ 精密計測機器部品 【導入の効果】 ■ 部品点数の削減による組み立て工数低減 ■ 複雑形状による性能向上 ■ 高い耐熱性による装置の長寿命化