3次元TCAD
実用的な3次元シミュレーションへのアプローチの方法
クロスライトのTCADを利用した3次元プロセス、デバイスシミュレーション。メッシュ生成、デバイス構造の作りこみ、解析などを各種デバイス(CMOSイメージセンサー、LDMOS、FINFET、DMOS、LIGBT)を例にその機能やしくみを紹介。また、GPUによるシミュレーションについても紹介。
- 企業:クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格:応相談
1~7 件を表示 / 全 7 件
実用的な3次元シミュレーションへのアプローチの方法
クロスライトのTCADを利用した3次元プロセス、デバイスシミュレーション。メッシュ生成、デバイス構造の作りこみ、解析などを各種デバイス(CMOSイメージセンサー、LDMOS、FINFET、DMOS、LIGBT)を例にその機能やしくみを紹介。また、GPUによるシミュレーションについても紹介。
GPUによるFDTD計算の処理速度の向上
3次元レンズ構造およびCIS 3次元 CMOSイメージセンサーをベンチマーク例としてピックアップ。クロスライトのFDTDのGPUバージョンは3次元の実デバイス構造に対し66倍処理が向上。ベンチマーク結果は安価なGPUカードで、Core i7 3930K PC 10クラスター(60コアに相当する)と同等の処理速度を実現。
クロスライトソフトウェアのTCADによるパワー半導体デバイスの解析ツール
運動トラック形状のポリシリコンゲート(Race Track Poly Gate)を持つLDMOSと六角型ポリシリコンゲート(Hexagonal Poly Gate)を持つDMOSを題材にデバイスのシミュレーションの概要を紹介。
LEDの多重量子障壁の有無比較のためのツール
多重量子障壁(MQB: Multiple Quantum Barriers)超格子(SL: superlattice)のトンネリングモデルを解説。超格子の有無をシミュレーション比較。(バンド図(band diagram)、L-I特性、内部量子効率(IQE)、電子リーク(electron leakage)など)多重量子障壁は電子のポテンシャルバリアを増加し電子リークをより効果的にブロック。
高応力GaNデバイスの研究ツール
高応力(higly stressed)がかかるGaN多重量子井戸(MQW)の理論モデルを解説。クロスライトのデバイスシミュレーターでシリコン上に任意の結晶方向(crystal orientations)に成長したGaNデバイスLEDについて次のような結果を得ることが可能。シリコン基板からの張力(tensile)は多重量子井戸(MQW)のバンドギャップ(band gap)を減少し波長が長くなる。多重量子井戸(MQW)中の圧電電荷(piezoelectric charges)の減少。内部量子効果(IQE)の減少はEBL(electron blocking layer)インターフェイス上の圧電電荷の増加が原因。
「なぜ、この迷光が?」「意図しないゴーストが消えない…」そんな問題を効率的に解決する方法をご紹介します。
「製品の高性能化に伴い、ますます複雑化・高度化する光学設計。 特に、試作後に見つかる『意図しない光』や『迷光』による性能低下に頭を悩ませてはいませんか? ・ゴーストやフレアの原因が特定できず、対策に膨大な時間がかかっている ・シミュレーション結果だけでは、どの部品のどの面が影響しているか判断しきれない ・経験や勘に頼った対策となり、根本的な解決に至らないことがある もし一つでも当てはまるなら、この資料がお役に立ちます。 本資料では、照明設計解析ソフトウェア「LightTools」の『レイパス(Raypath)機能』をご紹介 。 光源から出た無数の光線の中から、問題となる光の経路だけを特定し、3Dで可視化する画期的な手法を解説します 。 『なぜこの光がここに到達するのか?』その根本原因を突き止め、的確な対策を講じることで、設計の手戻りを大幅に削減します。 ぜひ、貴社の品質向上と開発スピード加速にお役立てください。
ゲート・システム設計とCAE解析をひとつのソフトで迅速に
『CAST-DESIGNER』はゲート・システム設計CAD機能と解析機能の両方を備えたソフトウェアです。 適正なゲート・システムと化加工条件の調整を短時間で実現することができます。 また、初期段階の解析を迅速に行えるカスティング・プラ型向け解析ソフト『GEO-DESIGNER』 も搭載し、ゲート設計よりも手前の段階で不良リスクを回避した設計構想が可能です。