3次元TCAD
実用的な3次元シミュレーションへのアプローチの方法
クロスライトのTCADを利用した3次元プロセス、デバイスシミュレーション。メッシュ生成、デバイス構造の作りこみ、解析などを各種デバイス(CMOSイメージセンサー、LDMOS、FINFET、DMOS、LIGBT)を例にその機能やしくみを紹介。また、GPUによるシミュレーションについても紹介。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
設計解析ソフト(制御) - メーカー・企業と業務用製品 | イプロスものづくり
設計解析ソフトの製品一覧
1～6 件を表示 ／ 全 6 件
表示件数
パワー半導体デバイス向けTCAD
クロスライトソフトウェアのTCADによるパワー半導体デバイスの解析ツール
運動トラック形状のポリシリコンゲート(Race Track Poly Gate)を持つLDMOSと六角型ポリシリコンゲート(Hexagonal Poly Gate)を持つDMOSを題材にデバイスのシミュレーションの概要を紹介。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
FDTD計算をGPUで加速
GPUによるFDTD計算の処理速度の向上
3次元レンズ構造およびCIS 3次元 CMOSイメージセンサーをベンチマーク例としてピックアップ。クロスライトのFDTDのGPUバージョンは3次元の実デバイス構造に対し66倍処理が向上。ベンチマーク結果は安価なGPUカードで、Core i7 3930K PC 10クラスター(60コアに相当する)と同等の処理速度を実現。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
LEDの多重量子障壁の有無比較ツール
LEDの多重量子障壁の有無比較のためのツール
多重量子障壁(MQB: Multiple Quantum Barriers)超格子(SL: superlattice)のトンネリングモデルを解説。超格子の有無をシミュレーション比較。（バンド図(band diagram)、L-I特性、内部量子効率(IQE)、電子リーク(electron leakage)など）多重量子障壁は電子のポテンシャルバリアを増加し電子リークをより効果的にブロック。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
高応力GaNデバイスの研究ツール
高応力GaNデバイスの研究ツール
高応力(higly stressed)がかかるGaN多重量子井戸(MQW)の理論モデルを解説。クロスライトのデバイスシミュレーターでシリコン上に任意の結晶方向(crystal orientations)に成長したGaNデバイスLEDについて次のような結果を得ることが可能。シリコン基板からの張力(tensile)は多重量子井戸(MQW)のバンドギャップ(band gap)を減少し波長が長くなる。多重量子井戸(MQW)中の圧電電荷(piezoelectric charges)の減少。内部量子効果(IQE)の減少はEBL(electron blocking layer)インターフェイス上の圧電電荷の増加が原因。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
制御系設計解析ツールとその応用
★制御系設計のソフトウェアを基礎から学ぶ! ★微分方程式や複素数の演算にあまり馴染みのない人でも簡単に利用できるソフトで学ぶ!
講 師 金沢工業大学 航空システム工学科 教授 片柳 亮二 氏 対 象 制御工学に関心のある技術者・研究者・担当部門など 会 場 川崎市 教育文化会館 第3学習室 【神奈川・川崎】JR・京急「川崎駅」下車徒歩 15分 日 時 平成23年5月20日(木) 10:30-16:30 定 員 20名 ※満席になりましたら、締め切らせていただきます。早めにお申し込みください。 聴講料 1社2名まで18,900円(税込、テキスト費用を含む)
- 企業：株式会社AndTech
- 価格：1万円 ~ 10万円
